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文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇沉积温度
  • 2篇导体
  • 2篇电性能
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻材料
  • 2篇异质结
  • 2篇有序表
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电性
  • 2篇铁电性能
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格结构
  • 2篇基片
  • 2篇激光沉积
  • 2篇激光溅射
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体异质结
  • 2篇

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇湖南大学
  • 1篇香港中文大学

作者

  • 6篇彭海兵
  • 5篇赵柏儒
  • 4篇郝昭
  • 4篇林媛
  • 4篇许波
  • 2篇龚伟志
  • 2篇谢中
  • 1篇陈小林
  • 1篇赵立华
  • 1篇王祝盈
  • 1篇谢中
  • 1篇翦知渐
  • 1篇许建斌

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 2篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波
文献传递
一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布,并实现...
赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
文献传递
一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波
文献传递
一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序人布,并实现...
赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
文献传递
变温扫描力显微镜在材料微区物性研究中的应用被引量:1
2000年
文章简要地介绍了一种由自制微型薄膜电阻加热台和商用扫描力显微镜构成的变温扫描力显微镜系统 ,获得的样品最高温度达 2 15℃ .运用该系统对铁电和铁磁畴随温度的演变进行了研究 ,在TGS单晶和人工磁化的高密度软磁盘磁记录材料中分别观察到了居里点附近发生的铁电 -顺电及铁磁 -顺磁相变 .文中还介绍了变温扫描力显微镜在其他材料领域的微区物性研究中应用的可能性 .
谢中罗恩洲许建斌I.H.Wilson彭海兵王祝盈陈小林翦知渐赵立华赵柏儒
关键词:物性
CMR锰氧化合物薄膜结构和磁电阻性能的研究
彭海兵
关键词:磁电阻
共1页<1>
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