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郝永芹

作品数:100 被引量:96H指数:6
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 67篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 49篇电子电信

主题

  • 84篇激光
  • 84篇激光器
  • 62篇半导体
  • 58篇半导体激光
  • 58篇半导体激光器
  • 56篇面发射
  • 54篇腔面
  • 50篇垂直腔
  • 49篇垂直腔面
  • 49篇垂直腔面发射
  • 28篇面发射半导体...
  • 27篇面发射激光器
  • 27篇发射激光器
  • 26篇垂直腔面发射...
  • 24篇垂直腔面发射...
  • 19篇反射镜
  • 18篇氧化物限制
  • 15篇布拉格反射镜
  • 14篇电极
  • 13篇分布布拉格反...

机构

  • 100篇长春理工大学
  • 5篇中国人民解放...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇沈阳化工学院
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 100篇郝永芹
  • 68篇冯源
  • 60篇晏长岭
  • 44篇赵英杰
  • 26篇钟景昌
  • 22篇姜晓光
  • 13篇王晓华
  • 13篇马晓辉
  • 12篇刘国军
  • 12篇徐莉
  • 10篇李鹏
  • 9篇张剑家
  • 9篇李辉
  • 9篇赵宇斯
  • 9篇侯立峰
  • 9篇芦鹏
  • 9篇史建伟
  • 8篇邹永刚
  • 7篇张永明
  • 6篇刘云

传媒

  • 6篇长春理工大学...
  • 5篇中国激光
  • 4篇Journa...
  • 3篇光子学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇半导体技术
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇兵工学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国光学
  • 1篇现代物理

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 13篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 2篇2008
  • 10篇2007
  • 4篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
100 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法
半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是,在测试半导体激光器的温度特性时,需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热...
马建立钟景昌郝永芹赵英杰史全林李海军
文献传递
半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置
半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置属于半导体激光器器件可靠性参数测试技术领域。相关的现有技术存在温度梯度大、加热惯性大等弊端,使得所确认的被测器件温度与实际温度相差较大;又由于光电探测器件在保温箱内一同被加热...
赵英杰张永明钟景昌李梅赵宇斯郝永芹晏长岭苏伟李林姜晓光
文献传递
宽范围、偏振稳定的850nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器特性被引量:4
2020年
设计了一种具有内腔耦合层的850 nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,从而获得了更宽的波长调谐范围以及稳定的偏振模式输出。通过分析在不同液晶层厚度下,两种偏振模式的共振波长以及对应的阈值增益的变化关系,研究了液晶厚度影响可调谐VCSEL偏振模式和波长调谐的机理。此外,通过优化半导体腔和液晶腔之间的耦合层结构,使得基于液晶的可调谐VCSEL结构在实现稳定偏振模式输出的基础上具有更宽的波长调谐范围。结果表明,耦合层结构的加入可以有效地增大液晶可调谐VCSEL的调谐范围,最大达到41.1 nm。同时,在连续的波长调谐过程中,由于o光偏振模式始终处于受抑制状态,因此液晶可调谐VCSEL可实现稳定的单偏振模式输出。
王小龙邹永刚郝永芹马晓辉刘国军
关键词:波长调谐
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术出光口存在工艺损伤,也不易与光纤、透镜等元件良好耦合,器件的散热效果也有待改善。本发明之激光器自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布...
晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家
文献传递
一种垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法
本申请提供一种垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法,所述垂直腔面发射半导体激光器包括相对设置的N面电极和P面电极,所述N面电极与所述P面电极之间设置有功能层,在第一方向上,所述功能层包括依次设置的衬底,N型分布式布拉格反...
郝永芹罗妍郝誉李博李晓雪张乃予
文献传递
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD,下电...
郝永芹马晓辉李杨晏长岭徐莉冯源谢检来张昕岳光礼张晶王志伟王霞
具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器
具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器属于半导体激光器技术领域。现有带切口的椭圆盘型腔微腔激光器激射阈值高,电光转换效率低,温升高,光输出功率低;现有椭圆环形腔半导体激光器成品率低,且难以实现高光功率输出。本发明之具有高阻区的...
晏长岭史建伟冯源郝永芹李鹏
文献传递
垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量:4
2007年
通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
关键词:光学半导体激光器氧化物限制垂直腔面发射激光器
一种半导体光放大器
本发明公开了一种半导体光放大器,特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系,在N型GaAs衬底上依次外延N型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x<...
魏志鹏唐吉龙贾慧民方铉张晶郝永芹王菲马晓辉王晓华
文献传递
垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量:1
2008年
本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
关键词:垂直腔面发射激光器氧化速率
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