郭震
- 作品数：3 被引量：25H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜被引量：20
- 2000年
- 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波发光性质 .
- 王玉霞温军郭震汤洪高黄继颇王连卫林成鲁
- 关键词：准分子激光淀积碳化硅
- 在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
- 2000年
- 本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)面高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 ,SiC(0 0 0 1) / /Si(111)外延生长。膜中SiC的Si/C比约为 1,表层有少许污染C(CH和CO)和少量Si2 O3,CO态氧和吸附氧。膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 150nm。膜厚约为 0 .3μm。从对比实验可知 ,在退火时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量。
- 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高
- 关键词：凝胶法晶体结构
- 在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：5
- 2001年
- 在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 .膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 15 0nm ,膜厚约为 0 3μm ,SiC中的Si/C比约为 1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2 O3,CO态氧和吸附氧 ) .从对比实验可知 ,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量 .
- 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高
- 关键词：碳化硅热解法
