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单晶碳化硅薄膜制备及二氧化硅基复合体系的光致发光研究: 该论文的内容可分为两大部分:其一是宽带隙半导体材料SiC薄膜的生长;其二是以多孔SiO<,2>为基体的掺杂/复合材料的光致发光.在SiC薄膜生长方面,为获得优质单晶薄膜必须解决许多方面的问题.该文分别就SiC/Si界面空...; 何海平; 关键词：半导体材料单晶薄膜薄膜生长光致发光光学性质; 文献传递

在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜: 2000年; 本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)面高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 ,SiC(0 0 0 1) / /Si(111)外延生长。膜中SiC的Si/C比约为 1,表层有少许污染C(CH和CO)和少量Si2 O3,CO态氧和吸附氧。膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 150nm。膜厚约为 0 .3μm。从对比实验可知 ,在退火时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量。; 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高; 关键词：凝胶法晶体结构

纳米AgI-多孔SiO_2复合材料的制备及其性能研究被引量：3: 2003年; 用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果表明 ,复合体系中AgI为β,γ相混晶结构 ,其粒径在 2 0～ 40nm之间。AgI -SiO2 复合体系的光谱吸收边与纯AgI及纯SiO2 不同。复合体系的室温电导率比纯AgI提高约 1～ 2个数量级 ,同时AgI的α β相变点滞后约 13℃。用界面效应和变形极化效应解释了体系电导率的提高。; 王玉霞何海平陈宏伟; 关键词：多孔二氧化硅相变滞后

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4: 2001年; 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射。; 王玉霞曹颖何海平汤洪高王连卫黄继颇林成鲁; 关键词：晶化温度准分子激光光致发光

低压Ar气氛下用PS/OCS/Si(111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理: 2006年; 在一定压力的Ar气氛中对S i(111)衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-S iC薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C/S i比为1.09。SEM分析表明薄膜的表面平整,S iC/S i(111)界面清晰、无层错缺陷形成。进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理。; 王玉霞李赟陈征何海平王建文邹优鸣; 关键词：溶胶-凝胶

温度对AgI-KI体系结构与离子电导的影响: 研究了0.8AgI+0.2Ki形成的三元复相体系变温XRD分析和离子电导率的变温复阻抗谱.结果表明,在75℃以上,体系主要成分是KAg<,4>I<,5>和AgI共存.在室温下主要成分是KAg<,2>I<,3>·H<,2>...; 王玉霞何海平李明; 关键词：X射线衍射固体电解质; 文献传递

宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用被引量：36: 2002年; SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H; 王玉霞何海平汤洪高; 关键词：宽带隙半导体材料 SIC 碳化硅半导体器件

在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：5: 2001年; 在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 .膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 15 0nm ,膜厚约为 0 3μm ,SiC中的Si/C比约为 1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2 O3,CO态氧和吸附氧 ) .从对比实验可知 ,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量 .; 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高; 关键词：碳化硅热解法

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何海平