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钟旻

作品数：48 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇存储器
  • 12篇沟道
  • 12篇存储器单元
  • 10篇相变
  • 10篇相变材料
  • 10篇半导体
  • 9篇底电极
  • 9篇阻挡层
  • 9篇金属
  • 8篇电极
  • 7篇抛光
  • 6篇电路
  • 6篇电路制造
  • 6篇栅极
  • 6篇晶体管
  • 6篇互连
  • 6篇半导体集成
  • 6篇SIGE
  • 5篇金属栅
  • 5篇刻蚀

机构

  • 48篇上海集成电路...
  • 4篇上海集成电路...

作者

  • 48篇钟旻
  • 15篇陈寿面
  • 10篇李铭
  • 5篇黄仁东

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 6篇2020
  • 5篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种相变存储器及其制备方法
本发明公开的一种相变存储器，自下而上包括衬底、掺杂层、二极管和相变电阻，其中，所述衬底的上方为掺杂层，所述掺杂层和衬底中包括至少两个浅沟槽隔离；所述二极管位于两个浅沟槽隔离之间，所述二极管包括第一二维晶体膜和第二二维晶体...
钟旻陈寿面李铭
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高密度相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种高密度相变存储器，自下而上包括：肖特基二极管，相变层和上电极，肖特基二极管包括半导体层和与半导体层形成肖特基势垒的金属层，金属层同时作为相变层的下电极；半导体层，金属层，相变层和上电极为自下而上相叠设的平...
钟旻陈寿面李铭
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一种InSe晶体管及其制备方法
本发明公开了一种InSe晶体管，包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的晶体生长衬底层；位于栅极上方的晶体生长衬底层上的InSe薄膜沟道层；围绕InSe薄膜沟道层的InSe保护层，位于栅极两侧上方位置的In...
钟旻陈寿面
SiGe源/漏区的制造方法
本发明公开了一种SiGe源/漏区的制造方法，其包括提供形成有栅极的N型晶片硅衬底，并刻蚀形成源/漏区的凹槽；在晶片上沉积金属薄膜；在金属薄膜上沉积Ge薄膜；对晶片进行退火工艺，通过金属诱导晶化，使Ge薄膜中的Ge原子扩散...
钟旻
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一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法
本发明公开了一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其步骤依次为，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过低温氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。通过这种方法，能有效提高作为...
钟旻
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一种限制型相变单元及其制备方法
本发明公开了一种限制型相变单元，自下而上包括相连的底电极、相变材料层和顶电极，相变材料层为采用侧壁沉积相变材料薄膜的方法而形成的至少一个侧壁结构，可大幅降低底电极和相变材料的接触面积，降低相变单元的功耗，避免刻蚀工艺对相...
钟旻陈寿面李铭
一种相变存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所...
钟旻李铭
一种二维晶体材料场效应管及其制备方法
本发明公开一种二维晶体材料场效应管,包括：半导体衬底、介质层、金属栅极、栅极介质层、沟道层、石墨烯层、二维晶体保护层和源、漏电极。本发明还公开了一种制造二维晶体材料场效应管的方法，将二维晶体材料自对准直接生长在栅极介质层...
钟旻陈寿面
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铜互连的制备方法
本发明公开了一种铜互连的制备方法，属于半导体技术领域。其包括：在晶圆的上表面设置介质层，并对所述介质层进行处理形成通孔和/或沟槽，并在形成有通孔或沟槽的介质层上表面从下到上依次形成铜的阻挡层和铜籽晶层；在所述阻挡层上表面...
钟旻
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一种金属化学机械抛光的方法
本发明公开了一种金属化学机械抛光的方法，该方法具体包括:在具有观察组件的腔体内提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一介电层，在所述介电层中形成凹槽，所述凹槽分别位于所述半导体衬底的P型区域与N型区域上；在所述介电层上形...
钟旻
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