本文提出的延迟锁相环结构能够提供比较宽的工作频率范围,并且可以实现延迟时间固定为一个输入时钟的周期。为了提高工作频率和避免错锁现象,该电路采用了相位选择电路和启动控制电路。这种延迟锁相环从理论上来说,工作频率范围可以达到1/(n×T_(dmax))～1/T_(dmin),T_(dmax)是延迟单元的最大延迟时间,n为延迟线中延迟单元的数目,T_(dmin)是延迟单元最小的延迟时间。设计采用了2.5V,0.25μm First Silicon CMOS工艺来实现,通过仿真测得该延迟锁相环的工作频率范围为200MHz～1GHz,并且输入和输出之间的总延时恰好为一个输入时钟周期。
电压基准是LDO线性稳压器的核心部分,它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求,另一方面又有较高的精度要求,提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺,仿真结果显示,输出基准电压为1.213 V,静态电流为538 n A,在-55~125℃温度范围内,温度系数仅为10.58 ppm/℃,低频时的电源抑制比为-85 d B。
在此设计一个具有560 n A静态电流、150 m A驱动能力的低压差线性稳压器。该LDO采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺,输出电压是3.3 V,输入电压为3.5~5 V。低静态电流LDO电路的设计难点是频率补偿和瞬态响应,这里通过引入一个带有负反馈的动态偏置缓冲器,不仅保证了系统在空载到满载整个负载范围内的稳定性,还极大地改善了低静态电流LDO的瞬态响应问题。仿真结果表明,全负载范围内相位裕度最小为65.8°,同时最大的瞬态响应偏差小于10 m V。
