陈晓杰
- 作品数：35 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路
- 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分...
- 龚正辉董业民杨文伟陈晓杰
- 文献传递
- 一种可用于超低温的低压差分放大器
- 本发明涉及一种可用于超低温的低压差分放大器，包括依次连接的参考电压调节电路、一级差分放大电路和二级CS放大电路，其中，一级差分放大电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的栅极与参考电压调节电路的输出端相连...
- 王彩露龚正辉陈晓杰董业民单毅
- InGaP/GaAs微结构材料GSMBE生长与特性及HBT和太阳电池器件研究
- 采用GSMBE技术,研究了GaAs、AlGaAs、InP、InGaP等薄膜材料及其异质结构的生长与特性,研究了InGaP/GaAs异质界面生长中的衬底温度和AsH<,3>、PH<,3>气氛切换及In、Ga束流强度的影响,...
- 陈晓杰
- 关键词：异质结双极晶体管太阳电池
- 文献传递
- 一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法
- 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的...
- 黄亚敏董业民陈晓杰
- 文献传递
- 阈值电压的调节方法、装置、CMOS器件、电子设备及存储介质
- 本申请涉及阈值电压的调节方法、装置、CMOS器件、电子设备及存储介质，该方法通过在CMOS器件的阱区设置接触区；接触区用于和外部电源相连；若CMOS器件的当前工作温度处于预设温度范围内，对接触区施加偏压。如此，可以降低保...
- 刘艳董业民陈晓杰单毅
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- 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
- 2007年
- 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
- 李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀
- 关键词：INPINGAASHBTOEIC
- 一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法
- 本发明公开了一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，根据预处理后样品芯片的两个相邻切割面的表面电路布局图得到的减薄表面和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与...
- 黄亚敏董业民陈晓杰
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- 一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法
- 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的...
- 黄亚敏董业民陈晓杰
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- 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
- 齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
- 解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题，建立了稳定优化的GSMBE生长工艺，研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术，在InGaP/Ga...
- 关键词：
- 关键词：GSMBE
- 一种基于SOI工艺的静电放电保护结构
- 本发明公开了一种基于SOI工艺的静电放电保护结构，包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的ESD保护器件；ESD保护器件包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域，第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域位于同一平面上，第...
- 单毅董业民陈晓杰
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