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董业民

作品数：135 被引量：39H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 109篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 52篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 33篇电路
  • 18篇晶体管
  • 14篇场效应
  • 13篇场效应晶体管
  • 12篇注氧隔离
  • 11篇退火
  • 11篇芯片
  • 10篇半导体
  • 10篇SOI工艺
  • 10篇衬底
  • 9篇静电保护
  • 9篇静电保护电路
  • 9篇绝缘
  • 9篇绝缘体
  • 9篇抗辐射
  • 8篇单粒子
  • 8篇高温退火
  • 7篇制样
  • 7篇埋氧层
  • 6篇单粒子效应

机构

  • 123篇中国科学院
  • 11篇苏州大学
  • 5篇中国科学院上...
  • 5篇中国科学院大...
  • 4篇清华大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇香港中文大学

作者

  • 135篇董业民
  • 44篇单毅
  • 28篇陈晓杰
  • 25篇王曦
  • 20篇陈猛
  • 18篇陈静
  • 13篇王湘
  • 10篇吴雪梅
  • 10篇姚伟国
  • 8篇吕凯
  • 8篇诸葛兰剑
  • 6篇汤乃云
  • 6篇徐大伟
  • 6篇叶春暖
  • 6篇刘海静
  • 5篇俞跃辉
  • 5篇杨文伟
  • 4篇宁兆元
  • 4篇程新红
  • 4篇林梓鑫

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 3篇功能材料
  • 2篇科学通报
  • 2篇Journa...
  • 2篇国防科技大学...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇苏州大学学报...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 15篇2023
  • 12篇2022
  • 14篇2021
  • 26篇2020
  • 15篇2019
  • 10篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
共 135 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
球磨法制备α′-Fe(N)超细粉末被引量：1
1999年
通过球磨α－ Ｆｅ 和脲的混合粉末，制得α′－ Ｆｅ（Ｎ） 超细粉末．使用Ｘ 射线衍射仪（ＸＲＤ） 、透射电镜（ＴＥＭ） 和热失重（ＴＧＡ） 分析了在真空条件下经１３０ ｈ 和２００ ｈ 球磨后的粉末样品的结构和性能．结果表明，经１３０ ｈ 球磨后开始得到α′－ Ｆｅ（Ｎ） 相；热分析表明，α′－ Ｆｅ（Ｎ） 相在４３０℃以下是稳定的；经球磨２００ ｈ 后，得到α′－ Ｆｅ（Ｎ） 超细粉末（０ ．０３～０ ．０６ μｍ） ，它是ｒ（Ｎ） 为１３ ．４９％ 的过饱和固溶体．
诸葛兰剑吴雪梅董业民孙建平姚伟国
关键词：球磨过饱和固溶体超细粉末
锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1
2001年
采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。
董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国
关键词：电致发光发光机制
一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法
本发明涉及一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法，其包括：步骤S1，通过电路仿真或示波器测试，获得锁相环在被辐照前的输出波形；步骤S2，对所述锁相环进行单粒子效应仿真或实验，捕获所述锁相环在被辐照后的输出波形；步骤S3...
陈卓俊董业民单毅
基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法
本发明提供一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法，包括：提供一SRAM版图；对所述SRAM版图进行后道布线，将所述SRAM版图中存储单元的器件连接成单粒子翻转检测电路；基于所述单粒子翻转检测电路的输出信号...
王本艳陈静董业民
文献传递
FPGA辐射测试模块、ASIC芯片抗辐射性能评估系统及方法
本发明提供一种FPGA辐射测试模块、ASIC芯片抗辐射性能评估系统及方法，包括：时钟复位生成单元，产生系统时钟及复位信号；输入激励生成单元，产生测试用激励；被测软ASIC单元；采集对比表决与测试流程控制单元，采集各被测软...
刘海静王正董业民
文献传递
一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路
本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分...
龚正辉董业民杨文伟陈晓杰
文献传递
一种柔性电子器件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种柔性电子器件及其制备方法，包括：柔性基底和电子器件，所述电子器件包括衬底层和延伸层，所述延伸层设置在所述衬底层上；所述柔性基底设置在所述延伸层远离所述衬底层的表面上。在电子器件正面形...
常永伟董业民刘艳吕凯
文献传递
一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路
本发明提供一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路，其中，该NMOS器件的P阱形成为低压P阱，该器件的栅极形成为高压栅极；所述NMOS器件为多指并联结构；所述NMOS器件的源漏区未掺杂NLDD和PHALO。...
单毅董业民
一种可用于超低温的低压差分放大器
本发明涉及一种可用于超低温的低压差分放大器，包括依次连接的参考电压调节电路、一级差分放大电路和二级CS放大电路，其中，一级差分放大电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的栅极与参考电压调节电路的输出端相连...
王彩露龚正辉陈晓杰董业民单毅
一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法
本发明公开了一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，根据预处理后样品芯片的两个相邻切割面的表面电路布局图得到的减薄表面和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与...
黄亚敏董业民陈晓杰
文献传递
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