陈水莲
- 作品数：9 被引量：31H指数：2
- 供职机构：清华大学理学院数学科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用被引量：1
- 1998年
- 从全量子理论出发，进一步系统深入地分析了在Ⅱ－类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Χ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，首次探讨了法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响。
- 郭长志陈水莲郭九苓王舒民
- 关键词：半导体量子阱激光器
- 量子级联激光器
- ＜正＞1994年美国贝尔实验室采用 InGaAs/InAlAs 量子阱/超晶格材料率先研制成功了10K 下脉冲激射波长为4．26 μm 的量子级联激光器,开创了利用宽带隙材料研制中,远红外半导体激光器的先河,而其与传统激...
- 张权生刘峰奇王占国郭长志陈水莲
- 文献传递
- 半导体中法诺态及其相应的光谱特性——半导体Ⅱ类量子阱中能带结构
- 1999年
- 把量子统计的密度矩阵理论与电子的统计分布行为相结合，克服了发散困难，首次成功地处理了连续谱与连续谱之间的组态相互作用。得出能够针对半导体Ⅱ类量子阱中能谱结构特点的法诺态及其相应的吸收谱和发射谱结构。结果表明，这些特性都在一定程度上是可控的，因此通过适当的设计完全可以在半导体Ⅱ类量子阱中实现无粒子数反转的增益。
- 郭九苓王舒民陈水莲郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析被引量：4
- 1989年
- 本文提出一种能够精确分析波导层具有任意折射率分布而且收敛性好的分层逼近迭代法,研究了折射率缓变波导层分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)中波导层的折射率分布对近场分布,近场束宽,光限制因子,远场分布,远场角,激射阈值的作用,并与延伸抛物型近似解和折射率突变波导层分别限制单量子阱半导体激光器进行较全面的比较.结果表明:延伸抛物型近似不宜普遍采用;采用适当的缓变波导层可进一步降低阈值(例如采用抛物型或线性分布),或进一步减小远场角(例如采用倒抛物型分布).
- 郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器
- 从全量子理论看在半导体中实现无反转增益的一个可能方案被引量：1
- 1997年
- 从全量子理论出发，比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响，为利用这种机理制成半导体量子阱无反转激光器提供理论依据。
- 郭九苓王舒民郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器半导体量子阱
- 红外子带间量子级联激光器的短波极限
- 2001年
- 从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga0 .4Sb,和以 In P为衬底的 In0 .5 3 Ga0 .4 7As/In0 .5 2 Al0 .4 8As的带阶 ,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态 .发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的 56%～ 62 % ,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小 .设计提出了迄今发射最短波长为 2 .88μm的由 2 5个周期共 2 50个耦合量子阱组成、外加电场为 10 0 k
- 郭长志陈水莲张永航
- 关键词：量子尺寸效应
- 分布反射面发射垂直微腔半导体激光器的微腔效应被引量：26
- 1997年
- 从理论上分析了作为垂直腔面发射半导体激光器反馈面的异质多层结构对光腔中激光传输振荡过程的影响．指出其相位匹配和等效反射面位置对改善激光器性能的重要作用．说明目前这种被认为很有希望的微腔结构，实际上难以观察到微腔效应的物理根源，并指出其改进的途径．
- 郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器微腔效应垂直腔面
- 半导体激光器在微波场加热电子变温调制中的增益开关效应
- 1994年
- 本文从理论上得出半导体激光器中晶格和空穴温度保持室温不变，但电子因受微波场加热而变温时，光增益的变化，并与晶格、空穴和电子温度一起变化时的结果作比较．据此分析了电子温度单独变化对半导体激光器静态行为的影响，指出新提出的微波场加热电子变温调制过程的物理机制与通常电流调制过程的根本区别．
- 郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器微波场激光调制增益
- 半导体激光器在微波场加热电子变温调制下的小讯号行为
- 1994年
- 本文从理论上对半导体激光器在微波场加热电子变温调制下的小讯号行为进行了比较详尽的分析，并提出一个等价标准以便与通常的电流调制及其联合调制的小讯号行为进行确切的比较．结果表明，在小讯号条件下，微波场加热电子变温调制的幅频响应比通常的电流调制高约两个量级，以致在联合调制中，电流调制完全被前者淹没而起不了作用，而且前者的相频响应比后者大体上滞后四分之一周期．
- 郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器微波场
