郭长志
- 作品数：24 被引量：41H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 从全量子理论看在半导体中实现无反转增益的一个可能方案被引量：1
- 1997年
- 从全量子理论出发，比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响，为利用这种机理制成半导体量子阱无反转激光器提供理论依据。
- 郭九苓王舒民郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器半导体量子阱
- 半导体激光器在高速大正弦调制下的分频单一光脉冲化及单模化行为
- 1989年
- 本文用多纵模速率方程对半导体激光器在高速大正弦调制下的行为进行了数值分析,得出随着调制参量的变化激光器的输出光会出现有规则的光脉冲序列、光谱变宽和波长漂移;在适当的调制条件下不仅会产生二分频单一光脉冲化现象,而且还会产生更多分频单一光脉冲化现象,同时利用分频现象还能够得到单模化光脉冲,其脉冲宽度小于10ps,并且对这些现象进行了定性解释。
- 邓生贵郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响被引量：7
- 1998年
- 修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行为。发现其阈值电流密度随温度的变化行为可分为特征温度（Ｔ０）不同的相邻两个温区，在较高温区，量子尺寸效应作用不大，在较低温区，量子尺寸效应反而降低了Ｔ０，并对此意外的现象提出初步的解释。
- 朴海镇陈辰嘉郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 半导体BH激光器中散射过程的选模作用
- 1989年
- 本文用微扰论分析了各种BH激光器中波导界面不平整性引起的散射和模式转换过程.计算了各阶导波模式的散射损耗随界面不平整参数、折射率差和到达界面光能的变化.结果表明高阶模式一般都比低阶模式的散射损耗高得多,特别是对依靠增益差难以抑制的A类高阶模式有明显的抑制作用,因而是一种有效的选模机制.
- 郭长志吴立新
- 关键词：半导体激光器散射损耗
- 半导体中法诺态及其相应的光谱特性——半导体Ⅱ类量子阱中能带结构
- 1999年
- 把量子统计的密度矩阵理论与电子的统计分布行为相结合，克服了发散困难，首次成功地处理了连续谱与连续谱之间的组态相互作用。得出能够针对半导体Ⅱ类量子阱中能谱结构特点的法诺态及其相应的吸收谱和发射谱结构。结果表明，这些特性都在一定程度上是可控的，因此通过适当的设计完全可以在半导体Ⅱ类量子阱中实现无粒子数反转的增益。
- 郭九苓王舒民陈水莲郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析被引量：4
- 1989年
- 本文提出一种能够精确分析波导层具有任意折射率分布而且收敛性好的分层逼近迭代法,研究了折射率缓变波导层分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)中波导层的折射率分布对近场分布,近场束宽,光限制因子,远场分布,远场角,激射阈值的作用,并与延伸抛物型近似解和折射率突变波导层分别限制单量子阱半导体激光器进行较全面的比较.结果表明:延伸抛物型近似不宜普遍采用;采用适当的缓变波导层可进一步降低阈值(例如采用抛物型或线性分布),或进一步减小远场角(例如采用倒抛物型分布).
- 郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器
- GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性——价带间光吸收对微分量子效率和特征温度的影响被引量：5
- 1999年
- 计算和分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ半导体量子阱激光器（ＱＷＬ）中的价带间光吸收系数及其对微分量子效率（η０）和特征温度（Ｔ０）的影响。结果表明，价带间光吸收系数随带隙增加而减小，随温度和载流子浓度增加而增加，其所引起的阈值和出光微分量子效率的变化趋势虽然与实验观察到的相类似，但数值上却不起明显的作用。因此，价带间光吸收这种温敏光子损耗机制对长波长半导体激光器的温度效应不可能起主要的作用。
- 朴海镇陈辰嘉郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 红外子带间量子级联激光器的短波极限
- 2001年
- 从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga0 .4Sb,和以 In P为衬底的 In0 .5 3 Ga0 .4 7As/In0 .5 2 Al0 .4 8As的带阶 ,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态 .发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的 56%～ 62 % ,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小 .设计提出了迄今发射最短波长为 2 .88μm的由 2 5个周期共 2 50个耦合量子阱组成、外加电场为 10 0 k
- 郭长志陈水莲张永航
- 关键词：量子尺寸效应
- 半导体多量子阱激光器的波导模式分析
- 1989年
- 本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.
- 郭长志杨新民
- 关键词：半导体激光器多量子阱波导模式
- 条形DH半导体激光器的自发发射因子
- 1989年
- 本文从理论上和实验上系统地研究了具有非自建增益波导的条形半导体激光器自发发射因子及其象散因子与波导尺寸、偏置电流和不同纵模等的关系.发现自发发射因子随电流变化并不是一常数,它在阈值电流附近有突变.采用自洽决定波导结构的方法得出增益波导的象散因子K只比折射率波导的K大几倍.指出从与实际不太符合的固定的复折射率分布模型出发是造成K大达两个量级的原因,并判明了目前尚有争论的两种象散因子表达式的正误.
- 赵一广郭长志
- 关键词：半导体激光器
