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高利聪

作品数:8 被引量:46H指数:4
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 4篇化学镀
  • 4篇ZNO纳米
  • 4篇ZNO纳米线
  • 2篇导电胶
  • 2篇动力学
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇自组装
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 1篇带隙
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇高利聪
  • 6篇贺英
  • 3篇周利寅
  • 3篇雷芝红
  • 2篇王均安
  • 2篇桑文斌
  • 1篇张晓燕
  • 1篇曹泽淳
  • 1篇谌小斑
  • 1篇张文飞
  • 1篇支华军
  • 1篇任海峰

传媒

  • 2篇化学学报
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
各向异性导电胶用新型导电复合粒子的制备被引量:6
2006年
采用无钯活化的化学镀的方法成功地制备出外镀银/铜/环氧树脂新型导电复合粒子,并对导电复合粒子进行了光学显微镜、SEM和EDS分析。结果表明:制备的导电微粒密度小,具有良好的导电性能,可以满足各向异性导电胶应用需求。
雷芝红贺英高利聪
关键词:各向异性导电胶化学镀铜化学镀银
微电子封装用导电胶的研究进展被引量:20
2007年
介绍了导电胶的组成、分类及与传统锡-铅焊料相比导电胶的优点。阐述了导电胶的导电机理、失效机理以及国内外的研究现状。
雷芝红贺英高利聪
关键词:导电胶导电机理接触电阻
聚合物/ZnO纳米线的制备和光学性能研究
ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族直接带隙氧化物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,比一般的半导体材料(如GaN:21 meV,ZnSe:20 meV)要高很多,是新型的第三代光电半导体的典型代表。由...
高利聪
关键词:ZNO纳米线半导体材料光学性能
文献传递
Ag_(80)(WC_(70)TiC_(30))_(17)C_3银基电接触材料化学镀的反应动力学被引量:2
2008年
探讨银基电接触材料化学镀银反应过程中的动力学,利用酸度计测量反应过程中的pH值,从而直观地表示了化学镀银反应的速率.通过研究pH值随时间的变化规律,推导出了化学镀银反应动力学方程c=c0e-kt及反应的活化能Ea.
张晓燕任海峰高利聪曹泽淳
关键词:化学镀动力学
高分子软模板法自组装生长ZnO纳米线及其光学性能被引量:11
2006年
采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50~80nm、长度大于4μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。
贺英王均安桑文斌支华军雷芝红高利聪
关键词:氧化锌纳米线自组装光致发光
氧化锌纳米线自组装定向生长动力学研究被引量:6
2007年
研究了以极性高分子(如聚丙烯酰胺)长分子链作为自组装网络,利用高分子软模板控制ZnO纳米点成核和ZnO纳米线定向生长,从而使ZnO纳米线在半导体硅衬底上自组装生长的过程;采用差示扫描量热法(DSC)测试了高分子络合-烧结法制备ZnO纳米线的结晶曲线,对其结晶动力学进行了研究,推导出结晶动力学方程为:1-Xt=exp(-7.475×10-2t1.9);并利用热重(TG)测试结果,通过热分解反应,导出了反应动力学方程:dα/dT=3.76×1023e-21340.8/T(1-α)2.8/φ,从而得到了化学反应速度随时间、浓度和温度变化的关系,并用结果解释了实验现象.
贺英王均安桑文斌高利聪周利寅
关键词:氧化锌纳米线自组装动力学
在半导体硅基底上催化生长ZnO纳米线的方法
本发明涉及一种在半导体硅基底上利用过渡金属的独特催化作用和高分子网络络合效应来促进ZnO纳米线自组装生长的催化生长方法。属于半导体光电纳米材料制备工艺技术领域。本发明采用化学镀镍工艺和高分子自组装生长相结合的工艺方法,通...
贺英高利聪周利寅谌小斑张文飞
文献传递
聚合物基ZnO纳米线的制备和生长机理研究被引量:1
2008年
采用独特的高分子溶液自组装生长方法,在经化学镀预处理的基底上利用高分子溶液的网络络合效应制备了ZnO纳米线.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱仪(EDS)等对样品的表面形貌及组成进行了观测表征.结果显示,纳米线直径约50nm,长度达到了数微米;产物Zn、O化学计量比接近1∶1.通过Si基底经化学镀工艺预处理和未经化学镀预处理对ZnO纳米结构、紫外吸收和PL性能影响的分析比较,发现了化学镀Ni对于纳米线长度和直径尺寸的控制更为有效;在PL图谱中,经化学镀预处理的样品在中心波长385nm出现了由激子碰撞复合所形成的近紫外发光峰.进一步还分析了在不同的pH值和反应时间下样品的紫外吸收和光致发光性能.通过以上实验,讨论并提出了ZnO纳米线的生长机理及过程,认为纳米线的生长是在化学镀催化剂和高分子双重作用下进行的.
高利聪贺英周利寅
关键词:ZNO纳米线化学镀NI紫外吸收
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