刘战辉
- 作品数：35 被引量：65H指数：5
- 供职机构：南京信息工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种可改善表面光洁度的低共熔离子液体电沉积铜涂层的制备方法
- 本发明提供一种可改善表面光洁度的低共熔离子液体电沉积铜涂层的制备方法，包括：将氯化胆碱、乙二醇和氯化铜混合均匀并加热，恒温搅拌直到固体全部溶解，生成棕色粘稠的液体，得到电解液，向电解液中加入一定量的水杨酸；铜片作为可溶性...
- 江凡匡一龙朱天麒吴红艳杨欣烨刘战辉
- 虹吸提升法腐蚀制备光纤微探针的装置及方法
- 虹吸提升法腐蚀制备光纤微探针的装置及方法。是一种近场光学显微镜用光纤探针、近场探测器用探针、微传感器用微探针的制备方法，该方法先将光纤的一端固定于采用腐蚀液容器的上方，另一端位于腐蚀液容器中的腐蚀液中，腐蚀液容器悬浮在虹...
- 顾宁孙龙李昌安刘战辉
- 文献传递
- 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算被引量：1
- 2008年
- 采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为109～1010cm-2,而且两种方法所得到的结果相符合。
- 刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓
- 关键词：位错氮化镓氢化物气相外延X射线衍射
- 电机冷却-电池组控温一体化系统
- 本实用新型公开了一种电机冷却‑电池组控温一体化系统，包括电动机冷却壳体，电动机冷却壳体包裹在电动机周围，液体工质在电动机冷却壳体内部循环流动；电动机冷却壳体的进出口之间形成外部的控温循环回路；电动机冷却壳体与电池组控温系...
- 刘战辉
- 氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析被引量：1
- 2013年
- 对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。
- 刘战辉修向前张李骊张荣张雅男苏静谢自力刘斌单云
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延拉曼光谱应力
- TiO_2纳米粒子的制备及表征被引量：3
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米粒子,并利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱仪和傅立叶转换红外光谱仪对TiO2纳米粒子的形貌、结构和尺寸进行了表征.结果表明:TiO2纳米粒子为近球形,粒径为12~15nm左右的锐钛矿型纳米晶;TiO2溶胶薄膜中粒子均匀分散,有较好的均一性;TiO2纳米粒子表面富氧,含有较多的≡Ti-OH基团;TiO2纳米粒子尺寸对反应体系的pH值很敏感;不同尺寸的纳米粒子在紫外区均有较强吸收,并表现出吸收带边蓝移效应.
- 刘战辉张雅男
- 关键词：TIO2纳米粒子溶胶-凝胶
- 氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究被引量：1
- 2013年
- 系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核岛的横向生长;优化的V/III比和最佳生长温度有利于降低晶体缺陷密度,促进横向生长,增强外延膜的二维生长.利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射、低温光致发光谱和室温拉曼光谱对优化条件下生长的GaN外延膜进行了结构和光电特性表征.测试结果表明,膜表面平整光滑,呈现二维生长模式表面形貌;(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别为317和343 arcsec;低温光致发光谱中近带边发射峰为3.478 eV附近的中性施主束缚激子发射峰,存在11 meV的蓝移,半高宽为10 meV,并且黄带发光强度很弱;常温拉曼光谱中E2(high)峰发生1.1 cm 1蓝移.结果表明,优化条件下生长的GaN外延膜具有良好的晶体质量和光电特性,但GaN膜中存在压应力.
- 张李骊刘战辉修向前张荣谢自力
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法
- 本发明提供一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法。利用目前工艺成熟的微电子加工技术，本发明在带有纳米阵列图案的GaN模板上，以Zn(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>和六甲基磷酸三酰胺水溶液作为ZnO纳米柱阵...
- 刘战辉张李骊李庆芳张雅男邵绍峰
- 文献传递
- GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
- 2016年
- 详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。
- 张李骊刘战辉钟霞修向前张荣谢自力
- 关键词：发光效率
- 10～30keV二次电子发射系数的表达式被引量：5
- 2013年
- 根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次（n）和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较，结果表明，成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～30kev的艿通式。
- 谢爱根王祖松刘战辉詹煜吴红艳
- 关键词：金属半金属元素半导体
