刘林生
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响被引量：3
- 2007年
- 用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.
- 李志华王文新刘林生蒋中伟高汉超周均铭
- 关键词：分子束外延超晶格
- 半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1
- 2007年
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭
- 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体
- MEMS磁性能在线测试结构
- 本发明公开一种对在线微电子机械系统MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)磁性能进行测试的方法及这种方法所用的相关结构，特别是对薄膜磁学性能测量的方法，如对MEMS的磁导率、磁化强度和...
- 刘肃刘林生黄庆安李伟华
- 文献传递
- III-V族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究
- 刘林生
- 关键词：分子束外延量子点砷化镓
- GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫
- 2007年
- 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利高汉超蒋中伟王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：多量子阱分子束外延
- MEMS薄膜磁学特性的在线测试结构
- 2005年
- 为了能实时监控MEMS器件的一些重要指标,人们对器件包括热导率,断裂强度等材料的属性进行了深入研究。由于MEMS磁学特性的复杂性,对MEMS磁学特性在线测量研究得很少。本文分析了具有代表性的薄膜磁学特性测试结构的原理及优缺点,并结合MEMS在线测试的特点提出了一种比较适合MEMS在线测试的新结构。
- 刘林生刘肃黄庆安
- 关键词：磁导率磁化强度
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
- GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2
- 2007年
- GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：光荧光谱砷化镓分子束外延
- Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究
- 本文首先详细介绍了分子束外延设备的原理和构造。采用原子力显微镜研究了InSb/GaAs量子点的生长特点。采用室温光荧光谱、高分辨x射线衍射仪和低温光荧光谱对在GaAs (110)衬底上生长高Al组分的AlGaAs材料进行...
- 刘林生
- 关键词：分子束外延量子点砷化镓
- 关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究
- 2007年
- 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：反射高能电子衍射分子束外延
