高汉超
- 作品数：24 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究
- 2022年
- 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长工艺。通过In原子补偿工艺,补偿基区InGaAs材料中被CBr_(4)刻蚀的In原子,调整In组分使InGaAs-C外延层与InP衬底晶格匹配。通过界面层Ⅴ族元素切换工艺,减少InP/InGaAs界面层四元合金材料的形成,避免四元合金界面对后续湿法工艺的影响,降低材料表面粗糙度。利用优化后的材料外延工艺,得到表面颗粒密度为15/cm^(2),基区InGaAs-C材料P型掺杂浓度为5.25×10^(19)cm^(-3),方阻非均匀性为0.5%的InP基DHBT完整结构材料,利用0.7μm InP DHBT工艺平台,得到增益为41、击穿电压为4 V、截止频率为341 GHz、最大震荡频率为333 GHz的InP基DHBT器件。
- 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延铟镓砷
- 固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究
- 2022年
- 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺。为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料,分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究。通过扫描透射电子显微镜(STEM)测量衬底表面氧化膜厚度,量化氧化膜厚度与脱膜时间的关系。通过P/As束流切换工艺,得到无P/As互混的InP/InGaAs界面。研究CBr_(4)束流对InGaAs外延层中In组分的影响,以及不同CBr_(4)束流对应的P型掺杂InGaAs材料载流子浓度和迁移率,研究CBr_(4)束流以及外延生长温度对InGaAs材料表面形貌和电学性能的影响。当CBr_(4)束流为26.66 Pa,生长温度为480℃时,可以得到载流子浓度为1×10^(20)cm^(-3),表面平整的高质量碳掺杂InGaAs材料。
- 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延铟镓砷氧化膜
- 重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
- 重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研...
- Hanehao Gao高汉超Zhijun Yin尹志军Wei Cheng程伟Yuan Wang王元Xiaojun Xu许晓军Zhonghui Li李忠辉
- 关键词：化合物半导体费米能级
- 半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1
- 2007年
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭
- 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体
- InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究
- 2021年
- 研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟合荧光的积分强度,Ea可能与局域能Eloc有关,Eb与缺陷引导的非辐射复合过程有关。当生长温度低于490℃时,Eb随生长温度而增加,并在490~520℃之间保持稳定。本实验对生长高质量的InGaAs材料有指导意义。
- 高汉超王伟于海龙马奔尹志军李忠辉
- 关键词：化合物半导体分子束外延荧光
- 一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
- 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
- 蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
- 文献传递
- 最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
- 2013年
- 太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
- 程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超
- 关键词：最高振荡频率太赫兹DHBT异质结双极型晶体管集成功率放大器
- 金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究
- 本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。...
- 尹志军高汉超张朱峰许晓军李忠辉
- 关键词：光电子材料纳米线分子束外延生长
- 文献传递
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
- As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究被引量：1
- 2020年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条件下,表面均方根粗糙度(RMS)为0.205 nm,单边卫星峰达20级,一级卫星峰的半高宽(FWHM)为145.05 arc sec,表明界面控制良好。
- 王伟高汉超于海龙马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延INGAAS/INP
