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退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响被引量：2: 2013年; 利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。; 李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉; 关键词：石墨烯碳化硅衬底

As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究被引量：1: 2020年; 采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条件下,表面均方根粗糙度(RMS)为0.205 nm,单边卫星峰达20级,一级卫星峰的半高宽(FWHM)为145.05 arc sec,表明界面控制良好。; 王伟高汉超于海龙马奔尹志军李忠辉; 关键词：分子束外延 INGAAS/INP

(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性: 2008年; 利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/Al GaAs p沟道HFET结构材料。通过控制V/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生长条件。通过Si掺杂获得p型GaAs和Al GaAs材料,研制生长了微波毫米波器件应用的HFET器件结构材料。Hall测试表明该结构材料具有很好的特性。; 孙娟谢自力邱凯尹志军; 关键词：分子束外延 P沟道

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文): 2000年; 用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。; 谢自力邱凯尹志军方小华王向武陈堂胜; 关键词：场效应晶体管分子束外延生长 INGAAS/GAAS 异质结

L波段0.5mm SiC SIT被引量：1: 2011年; 作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。; 陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军; 关键词：L波段碳化硅

基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究: 2013年; 重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。; 高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉; 关键词：GAASSB HBT 费米能级

采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌: 2007年; 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.; 钟飞邱凯李新化尹志军姬长建韩奇峰曹先存陈家荣段铖宏周秀菊王玉琦; 关键词：表面形貌 GAN薄膜

4°偏轴SiC衬底外延工艺研究被引量：1: 2013年; 4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。; 李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛; 关键词：肖特基二极管

基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究: 2022年; 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长工艺。通过In原子补偿工艺,补偿基区InGaAs材料中被CBr_(4)刻蚀的In原子,调整In组分使InGaAs-C外延层与InP衬底晶格匹配。通过界面层Ⅴ族元素切换工艺,减少InP/InGaAs界面层四元合金材料的形成,避免四元合金界面对后续湿法工艺的影响,降低材料表面粗糙度。利用优化后的材料外延工艺,得到表面颗粒密度为15/cm^(2),基区InGaAs-C材料P型掺杂浓度为5.25×10^(19)cm^(-3),方阻非均匀性为0.5%的InP基DHBT完整结构材料,利用0.7μm InP DHBT工艺平台,得到增益为41、击穿电压为4 V、截止频率为341 GHz、最大震荡频率为333 GHz的InP基DHBT器件。; 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉; 关键词：分子束外延铟镓砷

固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究: 2022年; 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺。为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料,分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究。通过扫描透射电子显微镜(STEM)测量衬底表面氧化膜厚度,量化氧化膜厚度与脱膜时间的关系。通过P/As束流切换工艺,得到无P/As互混的InP/InGaAs界面。研究CBr_(4)束流对InGaAs外延层中In组分的影响,以及不同CBr_(4)束流对应的P型掺杂InGaAs材料载流子浓度和迁移率,研究CBr_(4)束流以及外延生长温度对InGaAs材料表面形貌和电学性能的影响。当CBr_(4)束流为26.66 Pa,生长温度为480℃时,可以得到载流子浓度为1×10^(20)cm^(-3),表面平整的高质量碳掺杂InGaAs材料。; 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉; 关键词：分子束外延铟镓砷氧化膜

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尹志军