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刘纯宝

作品数:18 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院近代物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金菏泽学院科研基金更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇理学
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇离子辐照
  • 8篇重离子
  • 8篇发光
  • 7篇重离子辐照
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 4篇相变
  • 4篇光谱
  • 4篇光致发光谱
  • 4篇发光特性
  • 4篇辐照
  • 3篇相变研究
  • 3篇快重离子
  • 3篇快重离子辐照
  • 3篇高能
  • 3篇PB
  • 2篇电子能损
  • 2篇退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇复合材料

机构

  • 18篇中国科学院近...
  • 4篇菏泽学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇兰州大学
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 18篇刘纯宝
  • 16篇王志光
  • 11篇臧航
  • 10篇姚存峰
  • 10篇宋银
  • 9篇魏孔芳
  • 7篇马艺准
  • 6篇盛彦斌
  • 5篇金运范
  • 3篇赵志明
  • 3篇张崇宏
  • 3篇刘杰
  • 3篇孙友梅
  • 2篇缑洁
  • 2篇周丽宏
  • 1篇陈兰芳
  • 1篇刘延霞
  • 1篇卢子伟
  • 1篇谢二庆
  • 1篇朋兴平

传媒

  • 2篇核技术
  • 2篇功能材料
  • 2篇发光学报
  • 2篇原子核物理评...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第二届全国反...
  • 1篇第一届中国核...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 8篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究
2007年
用120keV碳离子注入非晶SiO2薄膜,再用高能Xe、Pb和U离子辐照。注碳剂量范围为2.0×1017—8.6×1017 cm-2,高能离子辐照剂量1.0×1010—3.8×1012 cm-2。辐照后的样品用傅里叶变换红外光谱仪进行系统分析。实验结果显示,高能离子辐照在注碳非晶SiO2薄膜中形成了大量的Si-O-C键和Si-C键。这些Si-O-C结构具有环链、开链和笼链等多种结构形式。随电子能损、辐照剂量或者沉积能量密度的增加,SiOC结构由类笼向环/开链结构演化。对高能重离子驱动产生SiOC结构的机理进行了简单的讨论。
刘纯宝赵志明王志光宋银金运范孙友梅刘杰姚存峰臧航
关键词:重离子辐照SIOC
高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响
利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重...
臧航王志光朋兴平宋银刘纯宝魏孔芳张崇宏姚存峰马艺准周利宏盛彦斌缑洁
文献传递
金属多层膜的离子辐照效应研究
载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合形成非晶态或晶态合金等。本工作选择生成热为正值的 Fe/Cu、Cu/Nb 系统...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银卢子伟姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
308MeV的Xe离子在V-4Cr-4Ti合金中的辐照效应研究
自从1966年,C.Cawthorne 等首次发现不锈钢的辐照肿胀以来,金属材料的辐照效应一直是研究人员极为关心的问题。钒合金因其具有优秀的高温力学性能和低活性,被遴选为未来聚变堆结构候选材料。在过去的二十年中,人们围绕...
姚存峰王志光盛彦斌刘纯宝宋银臧航魏孔芳马艺准
文献传递
离子辐照引起的金属/绝缘体界面混合与相变研究
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化, 从而导致界面发生材料相变.简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象...
刘纯宝王志光
关键词:相变
文献传递
Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
快重离子在SiO<,2>基材料中引起的强电子激发效应研究
具有特殊结构的SiO2基材料与Si平面工艺具有好的兼容性,在光电技术中的发光二极管、固体显示屏等器件的研制方面有巨大的潜在应用价值。本论文以快重离子与物质相互作用的特点为依据,选择具有重要应用价值的SiO2基材料,研究快...
刘纯宝
关键词:快重离子辐照
Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响
2018年
先用100keV碳离子注入非晶态SiO_2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变。发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光。对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论。
刘纯宝刘纯宝陈兰芳
关键词:光致发光谱离子辐照电子能损SIO2
Pb离子辐照注碳a-SiO_2薄膜的光致发光性能
2011年
用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变。结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成。对注入和辐照造成薄膜发光的可能来源及发光改变的机制进行了讨论。
刘纯宝赵志明王志光
关键词:光致发光谱重离子辐照离子注入
高能重离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光研究
硅基发光材料具有与现代先进硅平面工艺很好的兼容性,可用于高亮度固体电光显示屏、发光二极管、不同波长光控光致发电和电致发光管的研制。本工作采用“低能离子注入+高能重离子辐照”的方法,探索了高能重离子辐照对注碳 a-SiO薄...
刘纯宝王志光臧航宋银金运范魏孔芳姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
共2页<12>
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