您的位置： 专家智库 > >

吕世龙

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电极接触
  • 2篇电路
  • 2篇相变
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 2篇存储器
  • 2篇存储阵列

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇吕世龙
  • 2篇宋志棠
  • 2篇龚岳峰
  • 2篇刘燕
  • 2篇凌云
  • 2篇李宜瑾

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法
本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维...
龚岳峰宋志棠凌云吕世龙刘燕李宜瑾
相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法
本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维...
龚岳峰宋志棠凌云吕世龙刘燕李宜瑾
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0