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宋志棠

作品数：1,049 被引量：339H指数：8
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 854篇专利
  • 148篇期刊文章
  • 25篇科技成果
  • 19篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 133篇电子电信
  • 130篇自动化与计算...
  • 31篇一般工业技术
  • 31篇理学
  • 30篇金属学及工艺
  • 19篇文化科学
  • 12篇电气工程
  • 8篇机械工程
  • 7篇化学工程
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇生物学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 600篇存储器
  • 451篇相变存储
  • 438篇相变存储器
  • 233篇相变
  • 224篇相变材料
  • 161篇电路
  • 122篇电阻
  • 80篇电极
  • 79篇机械抛光
  • 77篇化学机械抛光
  • 75篇存储器单元
  • 74篇功耗
  • 72篇纳米
  • 56篇电压
  • 52篇半导体
  • 51篇选通
  • 51篇温度
  • 48篇结晶温度
  • 46篇芯片
  • 45篇电流

机构

  • 1,014篇中国科学院
  • 22篇上海新安纳电...
  • 21篇西安交通大学
  • 16篇中国科学院大...
  • 12篇中国科学院上...
  • 10篇上海市纳米科...
  • 8篇中国科学院研...
  • 4篇北京工业大学
  • 4篇同济大学
  • 4篇曲阜师范大学
  • 4篇上海大学
  • 3篇东华大学
  • 3篇上海交通大学
  • 3篇上海科技大学
  • 3篇中国科学技术...
  • 3篇中国科学院上...
  • 3篇上海新储集成...
  • 2篇北京石油化工...
  • 2篇南京大学
  • 2篇常州大学

作者

  • 1,048篇宋志棠
  • 337篇封松林
  • 294篇刘波
  • 227篇陈后鹏
  • 120篇陈小刚
  • 116篇吴良才
  • 116篇张挺
  • 115篇蔡道林
  • 114篇刘卫丽
  • 110篇宋三年
  • 107篇陈邦明
  • 102篇饶峰
  • 97篇李喜
  • 81篇王倩
  • 73篇雷宇
  • 68篇陈一峰
  • 52篇朱敏
  • 49篇丁晟
  • 48篇李顺芬
  • 33篇林成鲁

传媒

  • 18篇微电子学
  • 16篇功能材料与器...
  • 10篇Journa...
  • 7篇微纳电子技术
  • 6篇半导体技术
  • 6篇功能材料
  • 6篇第十四届全国...
  • 5篇物理学报
  • 5篇上海交通大学...
  • 4篇压电与声光
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇材料研究学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇应用化工
  • 2篇太原重型机械...
  • 2篇润滑与密封
  • 2篇表面技术
  • 2篇上海第二工业...

年份

  • 4篇2024
  • 23篇2023
  • 27篇2022
  • 41篇2021
  • 46篇2020
  • 40篇2019
  • 41篇2018
  • 49篇2017
  • 44篇2016
  • 57篇2015
  • 50篇2014
  • 90篇2013
  • 99篇2012
  • 88篇2011
  • 74篇2010
  • 80篇2009
  • 48篇2008
  • 33篇2007
  • 30篇2006
  • 32篇2005
共 1,049 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双电源优先级选择电路
本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端...
陈致志胡辰凯李喜宋三年宋志棠
相变存储器芯片版图结构
本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构，所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区；第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央；第一版...
王倩陈后鹏蔡道林宋志棠
肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺
本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔...
张挺宋志棠刘波封松林
一种相变存储器快速读取装置及方法
一种相变存储器快速读取装置，其包括待读相变存储单元、充电电路、过冲恢复率检测电路、灵敏放大器电路以及参考电平或参考存储单元。一方面，相变存储单元(在电路上可抽象为电阻)与位线的寄生电容构成RC回路；另一方面，选通MOS管...
丁晟宋志棠陈后鹏刘波
蓝宝石衬底及抛光方法与应用
本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率...
胡晓凯宋志棠刘卫丽
文献传递
相变存储单元器件的复合电极结构
本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现...
宋志棠丁晟刘波凌云陈小刚蔡道林封松林
文献传递
电阻转换存储器
本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件...
张挺宋志棠刘波封松林陈邦明
文献传递
相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法
本发明涉及一种相变存储器读、写操作可调脉宽控制电路的设计方法，属于微电子学领域。特征在于利用环形振荡器输出周期信号控制计数器，通过计数的方式获得脉冲宽度或调节脉冲宽度。本发明能够在不耗费芯片面积的前提下大幅度提升脉宽调节...
宋志棠丁晟刘波封松林
文献传递
一种相变存储器的编程系统及方法
本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相...
李喜宋志棠陈一峰陈后鹏蔡道林
文献传递
一种链式相变存储器结构
本发明涉及一种链式相变存储器结构,所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源...
蔡道林陈后鹏宋志棠
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