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刘波

作品数：313 被引量：113H指数：6
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 256篇专利
  • 42篇期刊文章
  • 11篇科技成果
  • 4篇会议论文

领域

  • 41篇自动化与计算...
  • 32篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 221篇存储器
  • 160篇相变存储
  • 156篇相变存储器
  • 92篇相变材料
  • 81篇相变
  • 66篇电阻
  • 40篇电极
  • 34篇纳米
  • 34篇半导体
  • 24篇功耗
  • 24篇二极管
  • 23篇温度
  • 23篇结晶温度
  • 22篇化学机械抛光
  • 22篇机械抛光
  • 22篇存储器单元
  • 20篇刻蚀
  • 18篇肖特基
  • 17篇肖特基二极管
  • 14篇电路

机构

  • 296篇中国科学院
  • 18篇北京工业大学
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇苏州科技大学
  • 1篇北京市科学技...
  • 1篇科技公司
  • 1篇硅存储技术公...

作者

  • 313篇刘波
  • 294篇宋志棠
  • 220篇封松林
  • 93篇张挺
  • 68篇陈邦明
  • 42篇吴良才
  • 39篇刘卫丽
  • 36篇饶峰
  • 28篇宋三年
  • 27篇吴关平
  • 26篇丁晟
  • 25篇陈小刚
  • 18篇顾怡峰
  • 15篇冯高明
  • 14篇彭程
  • 14篇万旭东
  • 12篇张鸿宾
  • 12篇蔡道林
  • 12篇龚岳峰
  • 12篇王良咏

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇北京工业大学...
  • 3篇微电子学
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇自动化学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇物理
  • 2篇计算机应用与...
  • 2篇计算机工程与...
  • 2篇计算机工程与...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇中国图象图形...
  • 1篇计算机研究与...
  • 1篇化学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇计算机系统应...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 11篇2016
  • 12篇2015
  • 16篇2014
  • 37篇2013
  • 27篇2012
  • 46篇2011
  • 25篇2010
  • 41篇2009
  • 30篇2008
  • 20篇2007
  • 15篇2006
  • 12篇2005
  • 9篇2004
  • 1篇2003
共 313 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Al<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>1</Sub>)...
彭程吴良才饶峰宋志棠刘波周夕淋朱敏
相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl<Sub>3...
夏洋洋刘波王青张中华宋三年宋志棠封松林
文献传递
制备纳米晶电阻转换材料的方法
本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均...
张挺宋志棠刘波吴关平张超封松林陈邦明
一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；...
顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林
文献传递
提升相变存储器编程速度的方法及实现方法
本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所...
张挺宋志棠丁晟刘波封松林陈邦明
文献传递
电阻转换存储器及其制造方法
本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成...
张挺宋志棠顾怡峰刘波封松林陈邦明
文献传递
基于骨骼线的三维网格编辑
2011年
为了保留局部细节和快速地进行形变,提出了1种新的基于骨骼线的三维网格编辑方法.在确定感兴趣区域及参考点后,通过参考点和屏幕平面建立骨骼线,将感兴趣区域上的顶点映射到骨骼线上.为了使由形变而带来的失真均匀分布及保留局部细节,对骨骼线上的点用线性旋转不变的坐标表示方法进行表示,以指定的目标点为约束,在最小二乘意义下对骨骼线进行重建,得到形变后比较光滑的骨骼线;再将骨骼线上的映射点逆映射到感兴趣区域上,得到形变后的网格模型.还可以基于骨骼线对感兴趣区域进行缩放、扭转编辑.实验结果验证了本方法能实时交互、并保留细节.对骨骼点和目标点进行插值得到新的目标点再进行形变,可以得到动画效果.
马占国刘波张鸿宾
关键词：网格形变动画
电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电...
张挺张兵宋志棠顾怡峰刘波封松林
SiSb基相变材料用化学机械抛光液
本发明涉及一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：0.2－30wt％含氧化物抛光颗粒、0.01－5wt％氧化剂、0.01－4wt％表面活性剂、0.01－3wt％有机添加剂，其余为pH调节剂和水性介质。利用本...
王良咏宋志棠刘波封松林
文献传递
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