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三维捕光结构与SIS高效光伏器件的研究: 马忠权徐飞赵占霞李拥华赵磊何波李凤沈玲唐杰孟夏杰; 该成果的主要内容体现在以下4个方面：1.采用了硅纳米线、表面等离激元、"黑硅"结构和ZnO纳米线技术，分别制备出硅基表面的四种陷光结构，表面最佳反射率低于2.0%，在硅基纳米线和黑硅材料中获得.选取不同厚度SiOx薄膜缓...; 关键词：; 关键词：光伏器件

表面钝化对少子寿命、铁-硼对浓度和复合中心浓度的影响被引量：5: 2010年; 分别采用0.08mol/L的碘酒、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SiNx:H和40%的HF酸对太阳电池级直拉单晶硅进行表面钝化,然后利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测量硅片的少子寿命和铁-硼(Fe-B)对浓度.通过比较少子寿命测量值,发现0.08mol/L的碘酒的钝化效果最好,40%的HF酸的钝化效果最差.对硅片Fe-B对浓度测量结果的分析表明,同一硅片经过不同钝化处理后Fe-B对浓度分布差异较大,且只有经过PECVD沉积SiNx:H钝化的硅片的Fe-B对浓度分布与少子寿命分布有显著的相关性.此外,实验研究还发现,钝化效果比较好的情况下,复合中心浓度分布与Fe-B对浓度分布存在很强的相关性.实验的半定量估算、分析表明,少子寿命、Fe-B对浓度以及复合中心浓度分布的间接测量结果,受到样品表面钝化效果的影响.; 李凤马忠权孟夏杰吕鹏于征汕何波; 关键词：表面钝化少子寿命

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)被引量：1: 2009年; 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。; 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲; 关键词：HGCDTE 环孔PN结 Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)被引量：2: 2009年; 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。; 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲; 关键词：HGCDTE 环孔PN结 Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻

太阳级晶硅中复合中心浓度和陷阱中心浓度的测量方法: 本发明涉及一种测量太阳级晶硅中复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法，属于光伏半导体材料性质参数测量方法领域。本发明的测量方法是利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪间接测量硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度。本发明的方法是：将硅片进...; 马忠权李凤赵磊于征汕吕鹏孟夏杰; 文献传递

晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性被引量：5: 2010年; 以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率(IQE)的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低(在1.35×1011cm-3左右),已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散吸杂后硅片的陷阱浓度显著减少.对经过单面扩散后的硅片进行取点分析,发现Fe-B对浓度与陷阱浓度的相关性较差,即Fe-B对不是影响陷阱浓度变化的主要因素.将分别经过单面和双面扩散的硅片制备成太阳电池,利用光生诱导电流测量了电池的IQE.分析发现,经过双面扩散制备的电池的IQE比经过单面扩散制备的电池的IQE高,且IQE分布较单面扩散制备的电池更均匀,说明Fe-B对的浓度分布显著影响IQE的分布.; 李凤马忠权孟夏杰殷晏庭于征汕吕鹏; 关键词：少子寿命内量子效率

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孟夏杰