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张海英

作品数:4 被引量:22H指数:3
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇点阵
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇直流
  • 1篇线阵列
  • 1篇离子束
  • 1篇纳米孔
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇聚焦离子束
  • 1篇矫顽力
  • 1篇合金
  • 1篇高频
  • 1篇NI
  • 1篇SR
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇北京师范大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇浙江理工大学

作者

  • 4篇张海英
  • 3篇唐为华
  • 3篇陈雷明
  • 3篇李培刚
  • 3篇符秀丽
  • 1篇涂清云
  • 1篇王懿

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
PED沉积La-Sr-Cu-O薄膜表面的有序纳米结构被引量:3
2005年
采用脉冲电子束沉积(PED)技术在Si(100)衬底上生长La_Sr_Cu_O薄膜,在750℃生长温度下获得具有有序纳米结构的表面形貌.采用聚集离子束(FIB)技术对获得的纳米结构进行表征,结果表明,这种有序的纳米结构是由于Si衬底和La_Sr_Cu_O薄膜之间的热膨胀系数和晶格的失配引起的纳米裂纹.在这些纳米裂纹处,La_Sr_Cu_O成核生长获得独立的纳米线.通过控制这种有序的纳米结构的生长,这种有序的纳米结构可以用来构造弱连接形成的器件.
陈雷明李培刚符秀丽张海英李玲红唐为华
欧姆合金对MHEMT器件直流和高频性能的影响
采用电子束光刻方式制备了栅长200nm的GaAs基MHEMT器件,着重研究了欧姆合金工艺对MHEMT器件的直流和高频性能的影响。进行和未进行欧姆合金的MHEMT的跨导(gm)、最大饱和漏电流密度(Jdss)、电流增益截止...
徐静波张海英王文新黎明付晓君刘亮叶甜春
关键词:电学性能
FIB快速加工纳米孔点阵的新方法被引量:5
2005年
纳米尺度的点阵在纳米器件和基础科学研究方面都具有非常重要的应用 .目前普遍采用的聚焦离子束和电子束曝光技术可以很方便的在衬底上加工纳米量级的微细结构 ,但大面积的图形加工过程需要花费太多的机时 .介绍一种利用设计图形BMP文件的像素点阵和实际加工区域之间的匹配关系 ,通过聚焦离子束加工获得所需要的纳米孔点阵的新方法 .采用这种方法可以在短时间内获得大面积的纳米点阵结构 .
陈雷明李培刚符秀丽张海英L.H.Li唐为华
关键词:聚焦离子束电子束曝光点阵纳米孔BMP文件
大规模制备Ni_(80)Fe_(20)纳米线阵列及其磁学特性研究被引量:14
2005年
利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了Ni80 Fe2 0 纳米线阵列 .该方法得到的Ni80 Fe2 0 纳米线产率高 (约 10 1 2 — 10 1 3 cm2 ) ,而且这些纳米线阵列具有 (111)择优生长取向和很高的纵横比 .与体材料相比 ,这些Ni80 Fe2 0 纳米线阵列具有更高的矫顽力和较大的剩磁比等性能 ,在微型磁性元件领域将具有广泛应用前景 .
符秀丽王懿李培刚陈雷明张海英涂清云L.H.Li唐为华
关键词:纳米线阵列电化学沉积矫顽力
共1页<1>
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