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彭宇飞

作品数:68 被引量:27H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省科技计划项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 39篇专利
  • 14篇会议论文
  • 13篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 17篇理学
  • 15篇核科学技术
  • 5篇机械工程
  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇离子
  • 9篇二次电子
  • 8篇电极
  • 8篇电子发射
  • 8篇栅网
  • 8篇金属
  • 8篇二次电子发射
  • 7篇电阻
  • 7篇绝缘
  • 6篇热阴极
  • 6篇轰击
  • 6篇触发极
  • 5篇阳极
  • 5篇发射度
  • 4篇等离子体
  • 4篇电子枪
  • 4篇阴极
  • 4篇中子
  • 4篇离子源
  • 4篇加速器

机构

  • 68篇中国工程物理...
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 68篇彭宇飞
  • 56篇龙继东
  • 41篇杨振
  • 41篇蓝朝晖
  • 38篇董攀
  • 33篇王韬
  • 30篇李杰
  • 28篇刘平
  • 22篇石金水
  • 21篇何佳龙
  • 21篇郑乐
  • 16篇刘尔祥
  • 14篇杨洁
  • 13篇李喜
  • 11篇向军
  • 11篇黄刚
  • 7篇王小胡
  • 7篇李天涛
  • 5篇陈德彪
  • 3篇章林文

传媒

  • 4篇强激光与粒子...
  • 3篇核技术
  • 3篇真空电子技术
  • 3篇第十三届高功...
  • 2篇首届全国脉冲...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇电子学报
  • 1篇高能量密度物...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇中国核学会2...
  • 1篇中国核学会2...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 11篇2014
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
68 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脉冲离子束作用下靶面次级电子的抑制被引量:6
2012年
论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制,介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点,提出了脉冲离子束作用下靶面次级电子抑制的自偏势法和曲面靶法等设计思路,并在实验上进行了初步验证。实验结果表明,自偏势电压大于80V后,次级电子得到很好的抑制。在相同束流情况下,曲面靶较平面靶的次级电子产额少。利用实验结果进行估算得到了近似的次级电子产额约为0.67,比文献中的结果(0.58)偏大。对实验中自偏势法抑制反峰电子电流的效果进行了分析和讨论,结果表明:自偏势法不但能够有效抑制离子打靶产生的次级电子,还能抑制由功率源不稳定带来的入射反峰电子流。
杨振彭宇飞龙继东蓝朝晖董攀石金水
关键词:曲面
电子弹性反冲探测系统
本实用新型公开了电子弹性反冲探测系统,包括真空室,还包括置于真空室中的电子枪、靶材料和探测器,所述电子枪和探测器均安装在靶材料上方;所述电子枪用于提供轰击靶材料的入射粒子束,所述电子枪提供的入射粒子束为低能量电子束;所述...
张晓宁龙继东彭宇飞李晨何佳龙赵伟
文献传递
电阻触发式真空弧离子源装置
本实用新型公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置,包括阳极(1)、阴极(2)、触发极(3)、阴极-触发极绝缘件(4)、触发电阻(5)以及连接在阴极(2)下端的阴极固定导电接头(6),上述阳极(1)由中空圆筒状的阳极支撑体(...
彭宇飞蓝朝晖龙继东杨振郑乐董攀李杰何佳龙王韬
文献传递
一种含氘金属薄膜靶的制备方法
本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法,首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理;其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内,并用氩离子轰击衬底表面,溅射掉衬底表面...
王韬龙继东黄刚杨振蓝朝晖向军彭宇飞刘平刘尔祥吕璐
文献传递
一种X射线管
本发明公开了一种X射线管,包括阳极座、阳极靶、聚焦槽和阴极,所述阳极座呈圆环形结构,阳极靶沿圆环形结构周向分布设置在阳极座的内壁上、且在X射线管轴向截面方向上阳极靶的轰击面呈倒圆台形结构;所述阴极位于圆环形结构圆心处,沿...
李建北向军彭宇飞
强流脉冲离子束流横截面分布离线诊断方法探索
离子束流横截面分布信息的获得对于特种脉冲中子源的研究具有重要的意义。评述了几种通常的束流横截面分布诊断技术和方法,对比强流脉冲离子束的特点,分析了各种方法的优缺点。提出了一种新颖的离线诊断方法,其具有分辨率高,可同时给出...
杨振龙继东彭宇飞王小胡魏涛蓝朝晖董攀王韬石金水
文献传递
二次电子发射系数测量装置信号测试系统设计
二次电子发射系数是固体材料的一种重要表面特性,准确测量固体材料的二次电子发射系数在诸多科研领域具有广泛的应用价值.设计研制了一套可用于测量金属及绝缘介质材料二次电子发射系数的实验装置,简要介绍了该装置的测试原理及基本结构...
何佳龙彭宇飞龙继东蓝朝晖李杰杨振李喜王韬石金水
关键词:优化设计
DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法
本发明涉及材料表面处理技术领域,具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法,装置包括功率源和DBD等离子体反应器,DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板,相邻介质板之间具有间隙;方法是采...
李喜李杰谢宇彤章林文龙继东董攀蓝朝晖杨振王韬彭宇飞郑乐何佳龙
文献传递
基于闪烁体的强流低能脉冲离子束的时间-空间分辨探测
本文针对强流低能脉冲离子束测量要求,选择玻璃(SiO2)闪烁体为参考,介绍了无机闪烁体探测强流低能离子的原理。基于蒙卡和有限元数值模拟方法,初步分析了闪烁体在测量低能脉冲离子束时间和空间分布的潜在风险,包括离子比空间分布...
彭宇飞蓝朝晖王小胡王强杨振董攀龙继东石金水
文献传递
用于高能X光测量的Si-PIN阵列探测器被引量:3
2010年
设计了用于高能X光测量的小面积PIN硅光电二极管线列探测器,通过理论计算和EGSnrc蒙卡软件模拟分析了Si-PIN的探测灵敏度、线性电流和时间响应。根据理论研究可知,该探测器适用于大注量率、高能轫致辐射光的空间分辨力(3 mm)和时间分辨力(8 ns)的测量。并在理论设计的基础上进行了部分实验,采用小面积PIN硅光电二极管和放大电路,在"神龙一号"直线感应加速器上进行高能X光的测量,初步得到了PIN硅光电单元的响应结果,为线列小面积PIN光电管阵列的实用设计提供优化基础。
彭宇飞马冰石金水
关键词:阵列探测器灵敏度
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