蓝朝晖
- 作品数：76 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程电子电信更多>>
- 小型脉冲中子发生器用真空弧离子源研制被引量：1
- 2021年
- 真空弧离子源以其结构简单、空间紧凑、氘离子流强大等优点,非常适合在小型脉冲中子发生器中使用。本文介绍了一款小型真空弧离子源,它利用氘化钛阴极同时作为氘气源和电极,避免了复杂的气路管道。该离子源外径约20 mm,长25 mm。采用电荷耦合器件(CCD)相机拍摄了该离子源放电光斑,发现弧流越大,光斑越大。采用偏压平板测量了该离子源的饱和离子流,当弧流大于100 A时,饱和离子流可达1 A以上。采用磁分析测量了等离子体中氘离子比例,结果表明氘离子比例随弧流增加而增加,最大约为27%。最后测量了该离子源在120 kV高压下打氘靶的中子产额,当弧流为100 A,脉宽为5μs时,中子产额约1×10^(5) n。该源可应用在小型脉冲中子发生器中。
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- 关键词：脉冲中子发生器真空弧放电离子源
- 离子迁移谱仪离子门控制器及其控制方法
- 本发明涉及离子迁移谱仪离子门控制技术领域，具体公开了一种离子迁移谱仪离子门控制器及其控制方法，离子门控制器包括高压电源、给电极环供电的分压电阻电路、两路可调电源，分压电阻电路一端连接高压电源、另一端接地，所述分压电阻电路...
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- 脉冲离子束作用下靶面次级电子的抑制被引量：6
- 2012年
- 论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制,介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点,提出了脉冲离子束作用下靶面次级电子抑制的自偏势法和曲面靶法等设计思路,并在实验上进行了初步验证。实验结果表明,自偏势电压大于80V后,次级电子得到很好的抑制。在相同束流情况下,曲面靶较平面靶的次级电子产额少。利用实验结果进行估算得到了近似的次级电子产额约为0.67,比文献中的结果(0.58)偏大。对实验中自偏势法抑制反峰电子电流的效果进行了分析和讨论,结果表明:自偏势法不但能够有效抑制离子打靶产生的次级电子,还能抑制由功率源不稳定带来的入射反峰电子流。
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- 关键词：曲面
- 电阻触发式真空弧离子源装置
- 本实用新型公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（...
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- 文献传递
- 一种含氘金属薄膜靶的制备方法
- 本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法，首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理；其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内，并用氩离子轰击衬底表面，溅射掉衬底表面...
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- 文献传递
- 一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源
- 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发...
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- 基于闪烁体的强流低能脉冲离子束的时间-空间分辨探测
- 本文针对强流低能脉冲离子束测量要求，选择玻璃(SiO2)闪烁体为参考，介绍了无机闪烁体探测强流低能离子的原理。基于蒙卡和有限元数值模拟方法，初步分析了闪烁体在测量低能脉冲离子束时间和空间分布的潜在风险，包括离子比空间分布...
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- 文献传递
- 金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法
- 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa？-5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压...
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- 文献传递
- 正氢和负氢离子引出发射面的粒子模拟研究
- <正>等离子体离子源在离子加速器、中子管、聚变装置、离子推进器等方面得到了广泛的应用。与阴极电子发射不同,离子发射面的位置和形状与等离子体参数、引出电压、电极形状有关。离子发射面是等离子体与真空的分界面,通常不是平面,而...
- 蓝朝晖彭宇飞杨振董攀龙继东
- 文献传递
- 正氢和负氢离子引出的数值模拟研究
- 等离子体离子源在离子加速器、中子管、聚变装置、离子推进器等方面得到了广泛的应用。与阴极电子发射不同,离子发射面的位置和形状与等离子体参数、引出电压、电极形状有关。粒子模拟是等离子体物理和真空电子学领域广泛使用的一种数值方...
- 蓝朝晖龙继东杨振董潘
- 关键词：离子源数值模拟
