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戴扬

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇隧穿
  • 7篇共振隧穿
  • 7篇共振隧穿二极...
  • 7篇二极管
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 6篇晶体管
  • 6篇高电子迁移率
  • 6篇高电子迁移率...
  • 4篇RTD
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇INP衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇转换器
  • 2篇模数转换
  • 2篇模数转换器
  • 2篇进制
  • 2篇二进制
  • 2篇二进制码

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇戴扬
  • 7篇杨富华
  • 4篇曾一平
  • 4篇王良臣
  • 4篇马龙
  • 3篇张杨
  • 3篇杜睿
  • 1篇黄应龙
  • 1篇郑厚植
  • 1篇刘伟
  • 1篇张扬

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS...
马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管单片集成
文献传递
基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计
高电子迁移率晶体管(HEMT)和共振隧穿二极管(RTD)都是目前相对成熟的量子器件。其中RTD是基于量子隧穿效应的纳米电子器件，也是目前室温下工作速度最快的固态电子器件;HEMT是基于将载流子与电离施主在空间上分离，并将...
戴扬
关键词：共振隧穿
RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
2007年
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
关键词：共振隧穿二极管磷化铟单片集成
高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析被引量：1
2007年
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
关键词：共振隧穿二极管电流-电压特性
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器，该模数转换器由2<Sup>n</Sup>-1个比较器和n个编码器构成，n为模数转换器的位数；其中，各比较器并联连接，输入各比较器的模拟...
戴扬杜睿杨富华
文献传递
一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路(英文)
2007年
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.
戴扬黄应龙刘伟马龙杨富华王良臣曾一平郑厚植
关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管INGAAS
InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法
本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法，此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基集成电路。其特征在于：a)在InAlAs有源层和n<Sup>+</S...
戴扬杜睿张扬杨富华
文献传递
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器，该模数转换器由2<Sup>n</Sup>－1个比较器和n个编码器构成，n为模数转换器的位数；其中，各比较器并联连接，输入各比较器的模拟...
戴扬杜睿杨富华
文献传递
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