马龙
- 作品数：34 被引量：68H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市科委科技计划项目国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
- 2007年
- 在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
- 马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
- 关键词：共振隧穿二极管磷化铟单片集成
- LCD-TV用直下式LED背光源的光学设计被引量：25
- 2007年
- 三基色LED背光源是成就高品质液晶显示器的关键技术之一,其色域是传统CCFL背光源的150%以上。其中直下式背光源具有结构简单、光利用率高的特点,是目前大尺寸液晶显示背光源的首选,但是由于没有导光板,直下式背光源的光均匀性变得较差。通过对LED光场分布的模拟和分析,得出了一种新型LED光场分布设计,对由此光场分布的三基色LED组成的66cm(26in)背光源模拟表明,该背光源在未加扩散膜前,灯箱厚度为20～28mm时,亮度均匀度大于83%,ΔU′V′值在0.01左右;加上扩散膜之后,灯箱厚度为20mm时,均匀度可达到89.58%,ΔU′V′值达到0.0041。
- 梁萌王国宏范曼宁郭德博刘广义马龙王良臣李晋闽
- 关键词：背光源LED均匀度
- 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
- 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEM...
- 马龙杨富华王良臣黄应龙
- 文献传递
- 功率型GaN基LED静电保护方法研究被引量：4
- 2007年
- 介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
- 王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣
- 关键词：氮化镓发光二极管静电保护齐纳二极管
- 纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现
- 2007年
- 利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
- 张杨曾一平马龙王保强朱战平王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管INP基分子束外延
- 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
- 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEM...
- 马龙杨富华王良臣黄应龙
- 文献传递
- InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
- 本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS...
- 马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
- 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管单片集成
- 文献传递
- 大功率氮化镓基LED关键技术研究
- 本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
- 马龙伊晓燕郭金霞王良臣王国宏李晋闽
- 关键词：氮化镓发光二极管
- 文献传递
- 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
- 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实...
- 黄应龙杨富华王良臣王建林伊小燕马龙白云霞姜磊
- 文献传递
- 大功率倒装结构GaN LED p电极研究被引量：1
- 2005年
- 从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN p电极接触的潜在优势.
- 伊晓燕马龙郭金霞王良臣李晋闽
- 关键词：大功率倒装结构LED
