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王立彬

作品数:15 被引量:40H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇功率
  • 6篇GAN
  • 5篇氮化镓
  • 4篇倒装
  • 4篇电极
  • 4篇功率型
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇热模拟
  • 3篇接触电极
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇功率型LED
  • 3篇GAN基LE...
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇倒装结构
  • 2篇有限元
  • 2篇退火

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇王立彬
  • 15篇王良臣
  • 14篇伊晓燕
  • 13篇马龙
  • 12篇刘志强
  • 12篇陈宇
  • 5篇郭金霞
  • 4篇潘领峰
  • 3篇郭德博
  • 2篇于丽娟
  • 2篇严丽红
  • 1篇李晋闽

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 6篇2006
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
功率型GaN基LED静电保护方法研究被引量:4
2007年
介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣
关键词:氮化镓发光二极管静电保护齐纳二极管
GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法
一种GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极,包括:一蓝宝石衬底;一N-GaN层制作在蓝宝石衬底上,该N-GaN层上面的一侧形成有一台阶;一有源层制作在N-GaN层上的最上面;一P-GaN层制作在有源层上;一Ru/Ni...
王立彬王良臣
文献传递
倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术被引量:2
2007年
通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50%,测试结果与模拟计算值相符合.
刘志强王良臣伊晓燕王立彬陈宇郭德博马龙
关键词:GAN基LEDICP粗化
GaN基功率型LED可靠性分析被引量:1
2007年
以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2.56%;对LED的失效机理分析表明,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、p型电极的欧姆接触稳定性等均对LED可靠性有重要的影响.
陈宇王良臣伊晓燕王立彬刘志强马龙严丽红
关键词:GAN功率型LED可靠性
功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析被引量:3
2007年
为了了解功率型倒装结构LED系统各部分热阻,找出LED系统散热关键,对功率型倒装结构LED系统进行了有限元热模拟,同时结合传热学基本原理分析了各部分的热阻.结果表明,LED系统中凸点,Si-submount管壳和散热体的自身热阻较小,而芯片、粘结剂、散热体-环境的热阻较大,占系统热阻主要部分.因此优化设计芯片与散热体,选取导热率高的粘结剂,可以有效降低LED系统的热阻,成为LED系统散热设计的关键.
王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣
关键词:GANLED热模拟热阻有限元
InP/Si键合界面热应力分析被引量:4
2006年
从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层务状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况。结果表明。由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250~300℃。最后在300℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡。有效键合面积超过90%。
刘志强王良臣于丽娟郭金霞伊晓燕马龙王立彬陈宇
关键词:键合热应力退火温度
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构,包括:一蓝宝石衬底;一N-GaN层制作在蓝宝石衬底上,该N-GaN层上面的一侧形成有一台阶;一有源层制作在N-GaN层上的最上面;一P-GaN层制作在有源层上;一Ru/Ni层制作在P-G...
王立彬伊晓燕刘志强陈宇郭德博王良臣
文献传递
功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析
本文对功率型倒装结构LED系统进行了有限元热模拟,同时结合传热学基本原理分析了各部分的热阻.结果表明,LED系统中凸点,Si-submount,管壳和散热体的自身热阻较小,而与凸点的分布有关的芯片热阻较大,选择不同的粘结...
王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣李晋闽
关键词:GANLED热模拟有限元
文献传递
倒装结构大功率蓝光LEDs的研制被引量:11
2006年
从器件制作角度入手,对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术,研制出大功率蓝光LEDs,在350mA工作电流下,工作电压为3.3~3.5V,输出功率达137.71mW,反向5V电压下的漏电流小于1μA。
伊晓燕郭金霞马龙王立彬陈宇刘志强王良臣
关键词:大功率LEDS倒装结构
GaN基功率型LED可靠性分析
以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减2...
陈宇伊晓燕王立彬刘志强马龙王良臣严丽红
关键词:功率LED欧姆接触
文献传递
共2页<12>
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