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方玄

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇增益
  • 1篇阈值电流
  • 1篇量子阱结构

机构

  • 1篇长春理工大学

作者

  • 1篇刘国军
  • 1篇方玄
  • 1篇刘超
  • 1篇魏志鹏
  • 1篇安宁
  • 1篇刘鹏程
  • 1篇马晓辉
  • 1篇李占国

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究被引量：2
2015年
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力。当条宽为120μm、腔长为1 000μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91mA,斜率效率为0.48W/A。与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善。
安宁刘国军刘超李占国刘鹏程魏志鹏方玄马晓辉
关键词：增益阈值电流
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共1页<1>
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