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马晓辉

作品数:231 被引量:187H指数:8
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 173篇专利
  • 58篇期刊文章

领域

  • 78篇电子电信
  • 14篇理学
  • 5篇机械工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 138篇激光
  • 117篇激光器
  • 96篇半导体
  • 74篇半导体激光
  • 72篇半导体激光器
  • 36篇光纤
  • 24篇光束
  • 21篇光栅
  • 19篇光电
  • 18篇波导
  • 17篇纳米
  • 17篇光纤激光
  • 15篇偏振
  • 14篇面发射
  • 14篇光纤激光器
  • 13篇锁模
  • 13篇腔面
  • 13篇波长
  • 12篇单管
  • 10篇调谐

机构

  • 231篇长春理工大学
  • 5篇中国科学院长...
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇南昌大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇西南技术物理...
  • 1篇山东皇明太阳...
  • 1篇中国科学院重...
  • 1篇香港中文大学...

作者

  • 231篇马晓辉
  • 111篇邹永刚
  • 85篇张贺
  • 79篇金亮
  • 67篇徐莉
  • 53篇唐吉龙
  • 47篇方铉
  • 47篇范杰
  • 43篇王晓华
  • 41篇赵鑫
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  • 38篇刘国军
  • 38篇房丹
  • 36篇石琳琳
  • 31篇贾慧民
  • 27篇李洋
  • 27篇王登魁
  • 22篇田锟
  • 19篇魏志鹏
  • 19篇李岩

传媒

  • 11篇长春理工大学...
  • 6篇中国激光
  • 5篇纳米科技
  • 4篇红外与激光工...
  • 4篇激光与光电子...
  • 4篇发光学报
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 3篇强激光与粒子...
  • 2篇山海经(故事...
  • 2篇光学学报
  • 2篇中国光学
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇光散射学报
  • 1篇应用光学
  • 1篇半导体光电
  • 1篇仪器仪表用户
  • 1篇经贸实践
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 15篇2022
  • 19篇2021
  • 25篇2020
  • 39篇2019
  • 19篇2018
  • 19篇2017
  • 23篇2016
  • 18篇2015
  • 14篇2014
  • 11篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
231 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大模面积双包层增益光纤优化设计被引量:2
2014年
增益光纤的折射率和离子掺杂分布是决定光纤激光器输出功率和光束质量的重要因素,针对大模场光纤弯曲效应对模场面积和模场畸变的影响进行了数值分析,采用有限元方法计算了不同折射率和掺杂离子分布光纤的模场面积和增益系数。提出了高斯复合型折射率和掺杂离子分布的大模场增益光纤结构,该结构可有效提高增益光纤的增益系数和高阶模抑制系数,并具有较强的抗弯曲特性,较好的平衡了模场面积与抗弯曲特性的矛盾。根据计算结果设计了直径为65μm的高斯复合型折射率和掺杂分布的增益光纤,在波长为1.064μm的条件下,基模有效模面积达到1.17×103μm2,基模相对增益系数和高阶模相对抑制系数分别达到0.58和0.2088,有效地提高了光纤激光器和放大器的输出光束质量。
金亮徐莉张贺邹永刚丁晔马晓辉
关键词:模场面积
ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响
2013年
GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。
李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉
关键词:半导体激光器GAAS表面ZNSE
一种1ns级脉宽单频脉冲激光器及控制方法
本发明属于固体激光器技术领域,公开了一种1ns级脉宽单频脉冲激光器及控制方法,泵浦激光下端固定有反射装置,反射装置一侧固定有薄膜偏振片,薄膜偏振片一侧固定有晶体,后端设有声光开关、吸收晶体和输出透镜输出;泵浦激光、反射装...
李岩张良杨拓邹永刚马晓辉
一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器
本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触...
李林张帆马晓辉李占国高欣曲铁薄报学刘国军
一种带有复合微结构的倾斜波导半导体激光器
本申请涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种带有复合微结构的倾斜波导半导体激光器,所述半导体激光器包括倾斜波导,基侧模在倾斜波导腔内形成“之”字形谐振路径,可以在不同刻蚀深度下保证倾斜波导半导体激光器内基侧模高的端面耦...
范杰虞顺超邹永刚付曦瑶石琳琳徐英添王海珠兰云萍马晓辉
一种面发射分布反馈激光器
本发明公开了一种面发射分布反馈激光器,包括制作在同一外延芯片上的多个激光器单管,多个所述激光器单管呈阵列分布,每个所述激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、光栅层和下电极;光栅弯波导,连接在两个所述激光器...
邹永刚田锟石琳琳马晓辉王海珠范杰徐莉海一娜白云峰
一种低应力微机电系统、制备方法及可调谐垂直腔面发射激光器
本发明公开了一种低应力微机电系统,从下到上包括有衬底电极层(1)、n型衬底(2)、下分布反馈布拉格反射镜(100)、有源区(5)、电流限制层(6)、P型欧姆接触层(7)、绝缘层(8)、注入电极层(9)、中空结构牺牲层(1...
邹永刚裴丽娜李岩石琳琳金亮马晓辉王小龙
文献传递
一种量子阱雪崩光电二极管
一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域,解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题,空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极,雪崩层包括II型多...
王登魁魏志鹏方铉房丹唐吉龙林逢源李科学王新伟马晓辉
文献传递
GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算被引量:2
2011年
本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605).
张帆李林王勇邹永刚李占国马晓辉隋庆学刘国军
关键词:半导体激光器增益
980 nm半导体激光器腔面温度特性分析被引量:8
2013年
研究分析了980nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚石为钝化膜的腔面增透膜和高反膜,模拟和对比了镀有金刚石钝化膜与未镀金刚石钝化膜的980nm半导体激光器腔面温度特性。分析结果表明,镀有金刚石钝化膜比未镀金刚石钝化膜的器件的腔面温度低9.0626℃。因此在980nm半导体激光器腔面镀金刚石钝化膜能够有效降低腔面温度,提高腔面COD阈值。
郑晓刚李特芦鹏曲轶薄报学刘国军马晓辉李再金
关键词:激光器半导体激光器金刚石
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