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范杰

作品数：65 被引量：29H指数：2
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金北京市重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 35篇激光
  • 28篇激光器
  • 26篇半导体
  • 17篇半导体激光
  • 17篇半导体激光器
  • 12篇波导
  • 11篇光栅
  • 10篇面发射
  • 10篇光束
  • 8篇波长
  • 7篇空心光束
  • 7篇光学
  • 7篇光源
  • 5篇电极
  • 5篇应用光学
  • 5篇深刻蚀
  • 5篇势垒
  • 5篇势垒层
  • 5篇势阱
  • 5篇面发射激光器

机构

  • 65篇长春理工大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 65篇范杰
  • 54篇马晓辉
  • 49篇邹永刚
  • 46篇王海珠
  • 28篇石琳琳
  • 21篇张贺
  • 15篇金亮
  • 14篇田锟
  • 12篇方铉
  • 12篇徐莉
  • 10篇王晓华
  • 9篇赵鑫
  • 8篇房丹
  • 8篇唐吉龙
  • 8篇王登魁
  • 6篇王小龙
  • 5篇李洋
  • 5篇李岩
  • 5篇贾慧民
  • 4篇郝永芹

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇中国光学

年份

  • 14篇2024
  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 8篇2021
  • 8篇2020
  • 13篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
共 65 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种量子点带间级联激光器
本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区，利用...
魏志鹏唐吉龙方铉刘雪高娴贾慧民范杰马晓辉王晓华
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单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器
本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX<Sub>3</Sub>的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备...
方铉张倩文王登魁房丹田丰王海珠范杰李金华翟英娇楚学影王晓华
文献传递
一种面发射激光器阵列
本发明公开了一种面发射激光器阵列，其包括位于同一芯片上的若干个激光器单管，所述激光器单管纵向设置，且相邻的激光器单管错位排布用于实现向各个激光器单管光束输出区中有源层的载流子侧向注入；且在所述激光器单管的光束输出区设置有...
邹永刚田锟马晓辉范杰徐英添张贺王小龙徐莉
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一种基于液晶的高对比光栅结构
本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种基于液晶的高对比光栅结构，包括介质基底层和光栅层；所述光栅层设置在介质基底层上，所述光栅层的空隙处填充液晶。本发明一种基于液晶的高对比光栅结构，其实现了液晶与光栅的高效耦合，解决了微...
徐莉郑舟石琳琳邹永刚马晓辉范杰王海珠
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一种非稳腔半导体激光器及其制备方法
本申请属于半导体激光器技术领域，特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺，增加了器件的成本和工艺复杂性，难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器，包括...
邹永刚田锟范杰石琳琳张贺王海珠兰云萍徐英添马晓辉金亮徐睿良
一种面发射激光器阵列
本发明公开了一种面发射激光器阵列，其包括位于同一芯片上的若干个激光器单管，所述激光器单管纵向设置，且相邻的激光器单管错位排布用于实现向各个激光器单管光束输出区中有源层的载流子侧向注入；且在所述激光器单管的光束输出区设置有...
邹永刚田锟马晓辉范杰徐英添张贺王小龙徐莉
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基于量子化学理论研究氯代阻燃剂得克隆的降解路径
2016年
以零价金属Al和石英砂(SiO_2)为添加剂,采用机械化学法及基于密度泛函理论的量子化学方法,计算阻燃剂得克隆结构中所有的C—Cl键的键级和解离能,推测其可能脱Cl的位置,并将其降解,得到了得克隆降解的主要路径.
王海珠海一娜徐莹杜泊船张思玉范杰
关键词：有机污染物量子化学计算
一种非稳腔半导体激光器及其制备方法
本申请属于半导体激光器技术领域，特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺，增加了器件的成本和工艺复杂性，难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器，包括...
邹永刚田锟范杰石琳琳张贺王海珠兰云萍徐英添马晓辉金亮徐睿良
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一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法
本发明涉及一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，该方法通过在单根GaSb纳米线两侧用电子束光刻技术制备ITO结构图形，对ITO材料两端施加电场并对电场进行调节，实现对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，通过对IT...
魏志鹏王登魁方铉房丹王新伟满旭鲍妮范杰马晓辉
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一种调控InGaP有序度的生长方法
本申请涉及半导体材料技术领域，更具体地说，它涉及一种调控InGaP有序度的生长方法，所述方法通过掺杂Zn来调控InGaP的有序度，生长结构依次层叠为衬底，GaAs为缓冲层，低温550℃条件下InGaP为缓冲层，InGaP...
王海珠吕明辉范杰徐睿良付曦瑶方铉王登魁
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