李弋
- 作品数：29 被引量：16H指数：2
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- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 2008年
- 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I0B.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。
- 崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 2008年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
- LiNbO<Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯...
- 谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
- 文献传递
- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
- 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3－5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通...
- 谢自力张荣陈鹏刘斌李弋韩平修向前陆海江若琏施毅郑有炓
- 文献传递
- Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
- 关键词：热退火表面形貌阴极射线发光
- 铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
- LiNbO <Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高...
- 谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
- 文献传递
- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,...
- 崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 文献传递
- 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度被引量：3
- 2008年
- 应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比。最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm。
- 李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱X射线衍射
- 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 关键词：堆垛层错
