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微腔有机发光二极管被引量：12: 2000年; 设计了由分布布拉格反射镜 (DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用 8-羟基喹啉铝 (Alq3)作为电子传输层兼作发光层 ,TPD作为空穴传导层 ,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管 (MOLED)。发现MOLED的光谱半宽比OLED的窄得多 ,而光密度则得到了增强。对腔长进行调节 ,MOLED光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。; 刘明大石家纬李永军陆羽杨洪军缪同群金恩顺; 关键词：有机发光二极管微腔电致发光

声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长被引量：7: 2003年; ZnO films with <110> orientation were grown on R-Al 2O 3 substrates by LP-MOCVD, and the growth temperature was optimized. The quality of crystal, surface morphology and optical characteristic of the samples were investigated by XRD, AFM and PL method. The experimental results show that the FWHM of the optimized sample is only 0.50°. Compared with that of the sample grown on C-Al 2O 3 material under the same conditions, the surface morphology of the first sample is denser and smooth, while the PL spectra indicate that the exciton emitting intensity of <110> oriented ZnO film in the ultraviolet range is lower. However, the deep-level emission related to the intrinsic defects disappears in the spectrum. All above indicate that the <110> oriented ZnO film is more suitable for fabrication of the film SAWF with a low loss and a high frequency than for fabrication of the emitting device in ultraviolet range.; 赵佰军杜国同王金忠杨洪军张源涛杨小天马艳刘博阳杨天鹏刘大力; 关键词：声表面波器件 MOCVD AFM PL

ZnO薄膜的光抽运紫外激射被引量：4: 2004年; 采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜 ,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量 ,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强 ,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为 3倍频YAG激光器 ,脉宽 15ps,每秒 10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为 2 5 μm ,激射阈值为 0 .2 8μJ ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在 385～ 390nm之间的激射峰 ,其半峰全宽为 0 .0 3nm。所观察到的激射没有固定的方向 ,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜 ,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔。; 刘大力杜国同张源涛王新强杨天鹏杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳张景林; 关键词：ZNO薄膜

MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构被引量：9: 2004年; 使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长 ,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失 ,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线 ,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时 ,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近 ,与其他衬底上生长的薄膜相比 ,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构 ,声表面波滤波器的中心频率将提高; 赵佰军杨洪军王新强王新强刘大力杨晓天张源涛刘大力杨天鹏马艳; 关键词：金属有机化学气相沉积 X射线衍射扫描探针显微镜

金刚石衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及SAW器件的初步研究: 氧化锌作为一种多功能的二、六族宽禁带、紫外发光材料，有着多种突出的物理特性，其中以良好的压电特性，已经较早地应用于声表面波器件的研制中。本文使用等离子体增强 ZnO材料是一种宽禁带的多功能半导体光电材料，在许多...; 杨洪军; 关键词：氧化锌薄膜 MOCVD生长 SAW器件发光材料半导体光电材料; 文献传递

采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜: 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...; 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同; 关键词：ZNO薄膜 SI衬底 MOCVD 退火宽禁带半导体材料; 文献传递

O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响: 本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化...; 马艳杜国同杨树人李正庭李万成杨天鹏杨洪军张源涛杨小天赵佰军刘博阳刘大力姜秀英; 关键词：ZNO薄膜 LP-MOCVD PL谱金属有机化学气相淀积表面形貌光致发光谱; 文献传递

ZnO基紫外探测器的制作与研究被引量：12: 2004年; 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。; 杨晓天刘博阳马艳赵佰军张源涛杨天鹏杨洪军李万程刘大力杜国同; 关键词：氧化锌薄膜紫外探测器半导体材料禁带宽度

ZnO薄膜的掺杂特性被引量：13: 2004年; 通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。; 刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳杨树人; 关键词：氧化锌薄膜半导体材料氮掺杂生长温度

ZnO薄膜的新型MOCVD生长及特性研究<'1>: ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.; 刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人; 关键词：氧化锌薄膜 MOCVD 等离子体增强蓝宝石衬底; 文献传递

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杨洪军

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