杜国同
- 作品数：385 被引量：656H指数：14
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法
- 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Al<Sub>x0</Sub>Ga<Sub>1‑x0</Sub>N导电缓...
- 张源涛邓高强黄振董鑫马艳张宝林杜国同
- 自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性被引量：2
- 2007年
- 采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜,并研究了薄膜的生长特性和电学特性.结果表明,在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀,取向较一致,为c轴取向生长.其载流子迁移率为3.79 cm2/(V.s).
- 孙剑白亦真杨天鹏孙景昌杜国同
- 关键词：声表面波滤波器金刚石ZNO薄膜
- 利用原位生长SiNx摘膜制备高质量N极性GaN薄膜
- aN基光电子器件的研究中,N极性器件因具有更高的空穴注入效率、有利于制备高质量高In组分的InGaN/GaN量子阱等独特优势而受到广泛关注.但相比于Ga极性GaN薄膜,异质外延N极性GaN薄膜晶体质量较差,限制了N极性器...
- 闫龙许恒李玲张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氮化镓薄膜氮化硅原位生长
- 基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件被引量：10
- 2010年
- 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。
- 范昭奇程传辉申人升李万成王瑾白青龙夏道成杜国同
- 关键词：酞菁
- 抑制行波光放大器光激射的新方法
- 2002年
- 提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 。
- 殷景志杜国同李宪龙张源涛王新强李正庭
- 关键词：倾角光纤通信增透膜反射率阈值电流
- 利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁被引量：1
- 2002年
- 利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50～ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0～ 60 0 nm) .实验证明 。
- 康博南黄宗浩谢腾峰王德军常玉春刘杨宋俊峰张邦恒杜国同
- 关键词：MEH-PPV表面光电压谱共轭聚合物能级跃迁聚对苯乙炔光电性能
- 广谱性CO气敏元件的研制被引量：2
- 2002年
- 作者以γ Fe2 O3 为基料 ,通过Au2 O3 、PdO两种氧化物的复合掺杂 ,研制出了高灵敏度的CO广谱性气敏元件 。
- 王金忠吴家琨王新强孙良彦杜国同李康
- 关键词：Γ-FE2O3灵敏度
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
- 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...
- 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火宽禁带半导体材料
- 文献传递
- 一种氧化锌基异质结发光器件及其制备方法
- 一种氧化锌基异质结发光器件，包括衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、设置在GaN外延层上的正电极、ZnO发光层和设置在ZnO发光层上的负电极，GaN外延层上还设置有一个独立于正电极的电流限制层，ZnO发光层设置在电流限...
- 王辉赵洋吴国光董鑫张宝林杜国同
- 文献传递
- 加压MOCVD法生长INN薄膜
- 本文采用加压MOCVD法在1600TORR压力下生长INN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于5...
- 张源涛张宝林杜国同松岡隆志
- 关键词：INN
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