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一种基于砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器及制备方法: 一种基于砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器及制备方，属于半导体光电探测器技术领域。由Au电极、p‑GaAs衬底、UID‑Ga2O3低温缓冲层、n(轻掺杂)‑Ga2...; 董鑫党新明焦腾于含张源涛张宝林

一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法: 一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。结构薄膜依次由GaSb单晶衬底、p型Ga2O3纳米结构薄膜两部分组成。首先对GaSb单晶衬底加热，使其表...; 董鑫陈威焦腾刁肇悌李政达张源涛张宝林

一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法: 一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为：上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有...; 张宝林吕游李国兴徐佳新徐德前; 文献传递

一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法: 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶...; 董鑫陈威焦腾张源涛张宝林

一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法: 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。包括如下步骤：利用MOCVD在c面蓝宝石上外延GaN薄膜，制成GaN/蓝宝石基底；将GaN/蓝宝石...; 董鑫张源涛李赜明张宝林李万程; 文献传递

一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑Al...; 张源涛李鹏翀杜国同闫龙韩煦董鑫张宝林; 文献传递

缓冲层对Zn1-zMgzO薄膜电学特性的影响: @@采用金属有机化合物汽相沉积法(MOCVD)在硅和玻璃衬底上生长出了较高质量的Zn1-xMgxO薄膜。二乙基锌(DEZn)和二茂镁(cp2Mg)分别作为Zn源和Mg源，通过高纯A汽的携带输运进入反应室内，高纯氧气作为氧...; 夏晓川赵旺董鑫张宝林杜国同; 文献传递网络资源链接

p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性被引量：5: 2008年; 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。; 董鑫赵旺张宝林李香萍杜国同; 关键词：光致发光

Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响被引量：1: 2012年; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。; 张仕凯张宝林史志锋王辉夏晓川伍斌蔡旭浦高榕董鑫杜国同; 关键词：射频磁控溅射退火温度

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张宝林