渠波
- 作品数：13 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：5
- 2001年
- 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
- 刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
- 关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
- 激光雷达中雪崩光电二极管的智能应用被引量：4
- 2000年
- 本文以激光雷达为应用目标 ,提出单片机反馈控制方案 ,智能化地调整雪崩光电二极管 (APD)的工作状态 ,主要是在实时监测噪声和环境温度的条件下 ,自动设置 APD的反向工作电压以得到最大信噪比 ,自动调整滤出噪声的最低门限电压以利于有效信号的探测 ,从而保证系统安全可靠地工作 ,并达到最佳性能。
- 张光斌林世鸣渠波胡国新刘文楷武术
- 关键词：激光雷达雪崩光电二极管单片机
- 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
- 2001年
- 利用扫描电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积 (LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(0 0 1 )外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系 .结果表明外延表面存在有大量沿 [1 1 0 ]方向延伸的条带状台阶 ,而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶 ,在表面平整的区域内其密度则较低 .{1 1 1 }Ga和 {1 1 1 }N 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因 .
- 渠波李顺峰李顺峰胡国新郑新和王玉田林世鸣杨辉
- 关键词：立方相氮化镓外延层孪晶
- 立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
- 2002年
- 通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 .层错密度及其宽度在相互垂直的〈1 1 0〉方向上有明显的差异 .闪锌矿结构中 α位错与
- 沈晓明渠波冯志宏杨辉
- 关键词：外延层立方相GAN透射电子显微镜堆垛层错
- 氮化镓基材料的结构特性研究
- 该研究以GaN基材料的结构特性为主要研究内容,利用X射线衍射技术分析了GaN及其合金外延层的基本结构特性,进而建立了定量的评价体系,并探索了结构特性参数与外延工艺、光电特性之间的规律性联系.
- 渠波
- 关键词：GAN基材料X射线衍射技术结构特性
- GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术被引量：4
- 2002年
- 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.
- 孙元平付羿渠波王玉田冯志宏赵德刚郑新和段俐宏李秉臣张书明杨辉姜晓明郑文莉贾全杰
- 关键词：GAN立方相砷化镓氮化镓
- Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量被引量：1
- 2001年
- 利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描证明了 3C SiC外延生长于Si衬底上 ,生长的取向关系为 :( 0 0 1 ) 3C SiC//( 0 0 1 ) Si,[1 1 1 ]3C SiC//[1 1 1 ]Si. 3C SiC的{1 1 1 }极图在χ =1 5 .8°出现了新的衍射 ,采用六角相 {1 0 1 0 }晶面的极图以及孪晶SiC( 0 0 2 )的倒易空间Mapping分析了χ=1 5 .8°处产生的衍射为 3C SiC的孪晶所致 ,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为 1 % .
- 郑新和渠波王玉田戴自忠杨辉梁骏吾
- 关键词：3C-SIC半导体材料APCVD碳化硅薄膜
- 使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)被引量：1
- 2001年
- 使用四圆衍射仪和双晶衍射技术 ,分析了 Si C体单晶的结构和极性 .Si C单晶体由化学气相淀积法获得 .六方 { 10 15 }极图证明了该单晶结构为 6 H型 .三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的 Si终端面和 C终端面 ,即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值| F ( 0 0 0 L ) | 2 / | F( 0 0 0 L ) | 2 非常吻合 .因此 ,利用极性面的衍射强度差异 ,可以方便、严格地判断具有类似结构如 2 H{ 0 0 0 1}、4H { 0 0 0 1}及 3C- Si C{
- 郑新和渠波王玉田杨辉梁骏吾
- 关键词：X射线碳化硅
- 立方相GaN外延层的X射线四圆衍射分析
- 2000年
- 本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001）外延层的极图和倒易空间mapping，研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为：（111）／／（0001）、＜112＞／／＜1010＞。由于（111）Ga面的外延速度远高于{111}N面，导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的（111）Ga面和(111)Ga面上形成，而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相，表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。
- 渠波贾全杰等
- 关键词：立方相GAN外延层氮化镓半导体薄膜
- 立方GaN/GaAs(001)的X射线双晶衍射及结构特性
- 采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近，但(002)晶面的X射线双晶摇摆曲线的积分强度是(004)的5倍多，利用影响积分强度...
- 郑新和渠波王玉田杨辉梁骏吾
- 关键词：立方GANX射线双晶衍射结构特性
- 文献传递
