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机构

  • 9篇华南师范大学

作者

  • 9篇王茜
  • 5篇唐吉玉
  • 3篇李德钦
  • 3篇李培
  • 2篇刘洋
  • 2篇崔婧
  • 1篇朱永安
  • 1篇文于华
  • 1篇张正超
  • 1篇杨帆
  • 1篇陈彦

传媒

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  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
空间穿梭的游戏者——福田瀪雄个案研究
随着现代社会的进步以及经济的高度发展,视觉设计成为了各种信息传播的基本手段之一,而招贴在这之中则占据着极为重要的地位。福田繁雄的设计作品在日本及世界各地都受到一致的好评,这象征着其作品已经超越了文字的束缚,通过其独特的设...
王茜
关键词:招贴设计人文主义视觉形象
ES势垒随台阶高度变化对薄膜生长的影响被引量:1
2013年
建立一个模拟薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模型中Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒随台阶高度不同而变化。模拟结果表明:考虑ES势垒时,随着基底温度升高和沉积速率的降低,薄膜的粗糙度越来越低,成膜质量越好;一层ES势垒和层间势垒差对薄膜生长机制和成膜质量都有影响。
李德钦唐吉玉崔婧李培王茜
关键词:粗糙度
Ge基二维正方晶格光子晶体带隙优化设计被引量:5
2014年
采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方品格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响.结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a =0.19~0.47范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46~0.49范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率).同时,不论在介质柱型还是空气孔L型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势.
刘洋唐吉玉王茜段明正崔婧伍达将朱永安
关键词:平面波展开法TE模TM模完全带隙
一维异质光子晶体MgF_2/CdSe的可见光波段研究
2014年
将MgF2/CdSe构建一维异质光子晶体,利用传输矩阵法,分析了电磁波在此结构中的带隙结构。计算结果表明:MgF2/CdSe一维异质光子晶体结构在可见光波段具有良好的反射性质。其非异质结构光子晶体带隙的耦合,能够克服多介质层非异质光子晶体带隙窄、受入射角影响大的困难,得到的475~556nm波段内不受入射角度和偏振模式影响的完全光子带隙,可作为可见光波段全反射镜很好的材料选择。
王茜唐吉玉杨帆李德钦李培
关键词:光子晶体反射率传输矩阵
二维三角型金属氧化物光子晶体全带隙研究被引量:3
2015年
提出了一种抑制微带天线表面波传播的方法:将过渡金属氧化物作为二维三角型光子晶体介质柱,以显著改善天线的性能。利用平面波展开法,计算了分别由Co O、Cu O和Zn O三种过渡金属氧化物构成的二维三角型光子晶体的全带隙结构,得出了全带隙宽度gapwidth、中心频率gapmid以及带隙率gapratio与填充比F之间的关系曲线。研究表明,过渡金属氧化物可构成具有较宽微波波段全带隙的光子晶体,在微波领域具有很高的实用性。最大全带隙宽度均在0.06ωa/2πc以上,Co O光子晶体带宽最大为0.118ωa/2πc,带隙率可达到24.255%,当填充比增大时,中心频率由高频逐渐向低频移动。
陈彦唐吉玉刘洋王茜潘保瑞张正超
关键词:光子晶体过渡金属氧化物平面波展开法完全带隙
空间穿梭的游戏者-福田繁雄个案研究
王茜
关键词:福田繁雄招贴设计
我国商业银行破产预防法律制度研究
无论是发达国家,还是发展中国家,银行业在整个国民经济体系中都发挥着举足轻重的作用。但是迄今为止还没有哪个国家能够完全避免银行破产现象的发生。在市场经济条件下,银行必须受市场力量的约束,遵从优胜劣汰的竞争法则,因此各国均制...
王茜
关键词:商业银行司法实践
一维异质光子晶体的结构设计及光学特性研究
随着社会信息化的急速发展,微电子技术作为信息技术的核心,以摩尔定律式的速度提高着半导体元件的集成度的同时,越来越受到不可逾越的速度极限、密度极限的挑战,这使得人们越来越关注以光子代替电子作为信息的载体。而作为新型材料光子...
王茜
关键词:光子晶体反射率光学特性
退火后应变Ga_(1-x)ln_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱特性被引量:2
2014年
引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响。结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大。减小合金中N含量以及增加量子阱阱宽可减少增益峰值蓝移,从而降低退火带来的不利影响。
李培唐吉玉文于华王茜李德钦
关键词:退火光增益
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