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胡海天

作品数：9 被引量：29H指数：3
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇等离子体
  • 4篇砷化镓
  • 3篇钝化
  • 3篇GAAS
  • 2篇氮化
  • 2篇阻抗
  • 2篇微波等离子体
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇淀积
  • 1篇钝化膜
  • 1篇渗氮
  • 1篇探针
  • 1篇特性分析
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相淀积
  • 1篇微波
  • 1篇微波等离子体...

机构

  • 5篇中国科学院等...
  • 4篇复旦大学
  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 9篇胡海天
  • 4篇侯晓远
  • 4篇丁训民
  • 4篇袁泽亮
  • 4篇邬钦崇
  • 3篇李哲深
  • 3篇曹先安
  • 2篇盛奕建
  • 2篇陈溪滢
  • 2篇陆尔东
  • 1篇来冰
  • 1篇缪熙月
  • 1篇徐世红
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇杨建树
  • 1篇陈强
  • 1篇张新夷

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇物理实验
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇金属热处理
  • 1篇材料保护
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 4篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
微波等离子体化学气相沉积金刚石膜被引量：11
1996年
微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石膜的一个重要方法，能制备出表面光滑平整的大面积均匀金刚石膜。文章概述了ＭＰＣＶＤ制备金刚石膜的情况，介绍了ＭＰＣＶＤ制备金刚石膜装置的典型类型及其特点。在国内研制成功天线耦合石英钟罩式ＭＰＣＶＤ制备金刚石膜装置，并在硅片上沉积出大面积均匀的优质金刚石膜。这种ＭＰＣＶＤ装置对金刚石膜的开发应用具有重要意义。
胡海天邬钦崇盛奕建
关键词：微波等离子体化学气相沉积金刚石膜
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
1998年
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：砷化镓钝化
K/GaAs(100)表面的氮化
1998年
Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露Ｎ２ｐ峰，Ｇａ２ｐ和Ａｓ２ｐ芯能级谱中产生化学位移分量．就所研究的三种不同的Ｋ覆盖度（１／４，１／２和１ＭＬ）而言，１ＭＬ的那种显示了最强的促进作用．
胡海天来冰袁泽亮丁训民侯晓远
关键词：价带砷化镓
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远
关键词：气相淀积砷化镓钝化膜
微波等离子体渗氮装置被引量：2
1995年
胡海天陈强邬钦崇
关键词：等离子体
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：5
1998年
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫化物有好的稳定性．称量法表明该方法有更低的腐蚀速率．ＳＥＭ结果表明该方法钝化处理的ＧａＡｓ表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小．
袁泽亮丁训民胡海天李哲深杨建树缪熙月陈溪滢曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：SEM表面钝化砷化镓
微波等离子体源在钢表面氮化中的应用被引量：6
1996年
对微波等离子体源和常规等离子体源进行了对比，分析了微波等离子体源应用于离子氮化的优越性，报道了微波等离子体在钢表面氮化中的应用。
胡海天邬钦崇
关键词：等离子体渗氮离子氮化
微波电子回旋共振等离子体的阻抗特性分析被引量：1
1997年
基于微波电子回旋共振（ECR）等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化，采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况，并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明，通过对ECR等离子体进行阻抗特性分析，可以在不对其产生干扰的情况下了解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离子体的机理研究提供了一种新的诊断途径，有利于ECR等离子体工艺的推广和应用。
胡海天邬钦崇
关键词：电子回旋共振等离子体
微波三探针等离子体阻抗测量系统被引量：1
1997年
胡海天钦崇盛奕建
关键词：等离子体微波阻抗测量系统
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