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袁泽亮
作品数:
13
被引量:37
H指数:4
供职机构:
复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
化学工程
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合作作者
侯晓远
复旦大学物理学系应用表面物理国...
丁训民
复旦大学物理学系应用表面物理国...
胡海天
复旦大学物理学系应用表面物理国...
范垂祯
中国科学院兰州物理研究所
陆尔东
中国科学技术大学国家同步辐射实...
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文献类型
13篇
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12篇
电子电信
1篇
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7篇
砷化镓
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GAAS
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微波
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晶体管
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场效应
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场效应晶体管
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作者
13篇
袁泽亮
8篇
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5篇
丁训民
4篇
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自然科学进展...
年份
1篇
1999
6篇
1998
1篇
1997
1篇
1995
4篇
1994
共
13
条 记 录,以下是 1-10
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K/GaAs(100)表面的氮化
1998年
K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化:功函数有一定程度回升,价带谱中显露N2p峰,Ga2p和As2p芯能级谱中产生化学位移分量.就所研究的三种不同的K覆盖度(1/4,1/2和1ML)而言,1ML的那种显示了最强的促进作用.
胡海天
来冰
袁泽亮
丁训民
侯晓远
关键词:
价带
砷化镓
微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟
被引量:2
1994年
根据微波功率GaAs功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型,用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素:功耗、芯片周围环境温度、GaAs材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
袁泽亮
范垂祯
关键词:
微波
GAAS
FET
场效应晶体管
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究
被引量:5
1998年
采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法,研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面,并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较.SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键,Ga的硫化物有好的稳定性.称量法表明该方法有更低的腐蚀速率.SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少,直径小.
袁泽亮
丁训民
胡海天
李哲深
杨建树
缪熙月
陈溪滢
曹先安
侯晓远
陆尔东
徐世红
徐彭寿
张新夷
关键词:
SEM
表面钝化
砷化镓
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化
被引量:5
1998年
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题.80年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力.文章对有关硫钝化技术使Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述.
袁泽亮
侯晓远
王迅
关键词:
表面钝化
硫钝化
半导体器件
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究
被引量:3
1998年
前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量。
胡海天
丁训民
袁泽亮
李哲深
曹先安
侯晓远
陆尔东
徐世红
徐彭寿
张新夷
关键词:
砷化镓
钝化
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅰ.直流烧毁
被引量:2
1994年
用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究,探讨了直流烧毁机理及物理过程。
袁泽亮
范垂祯
关键词:
微波
GAAS
半导体器件
场效应晶体管
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安
胡海天
丁训民
陈溪滢
袁泽亮
李哲深
侯晓远
关键词:
气相淀积
砷化镓
钝化膜
砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析
被引量:2
1994年
采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和X射线透射仪等多种分析手段分析了一种C波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式,给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出,烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例;其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁,热斑烧毁,源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。
杨得全
袁泽亮
叶青山
范垂祯
关键词:
砷化镓
场效应晶体管
多孔硅在液体中的两种电致发光光谱
被引量:5
1997年
p型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时,可先后产生两种不同的电致发光光谱.一种是红光发射,所需的工作电压极小.随着通电时间增加,红光峰位发生蓝移.这种发光可能与量子尺寸效应有关.另一种是红光猝灭之后出现的白光发射,所需的工作电压很高.由于在酸液中红光猝灭之后,多孔层中形成了一连续的SiO2薄层,因此在高电场作用下,热电子注入该薄氧化层。
廖良生
袁泽亮
刘小兵
侯晓远
关键词:
多孔硅
电致发光光谱
白光
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
被引量:1
1994年
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
袁泽亮
范垂祯
关键词:
微波
砷化镓
功率场效应
晶体管
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