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袁泽亮

作品数：13 被引量：37H指数：4
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇砷化镓
  • 6篇GAAS
  • 4篇微波
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇钝化
  • 3篇GAAS功率
  • 3篇表面钝化
  • 2篇电子能
  • 2篇硫钝化
  • 2篇功率场效应
  • 2篇半导体器件
  • 1篇氮化
  • 1篇电迁移
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光光谱
  • 1篇电子能谱
  • 1篇淀积

机构

  • 8篇复旦大学
  • 5篇中国科学院兰...
  • 3篇中国科学技术...
  • 1篇长沙电力学院

作者

  • 13篇袁泽亮
  • 8篇侯晓远
  • 5篇丁训民
  • 4篇胡海天
  • 4篇范垂祯
  • 3篇李哲深
  • 3篇曹先安
  • 3篇陆尔东
  • 2篇来冰
  • 2篇陈溪滢
  • 2篇徐彭寿
  • 2篇王迅
  • 2篇廖良生
  • 2篇张新夷
  • 1篇刘小兵
  • 1篇缪熙月
  • 1篇叶青山
  • 1篇徐世红
  • 1篇杨建树
  • 1篇张胜坤

传媒

  • 4篇真空与低温
  • 3篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国空间科学...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇1999
  • 6篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 4篇1994
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
K/GaAs(100)表面的氮化
1998年
Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露Ｎ２ｐ峰，Ｇａ２ｐ和Ａｓ２ｐ芯能级谱中产生化学位移分量．就所研究的三种不同的Ｋ覆盖度（１／４，１／２和１ＭＬ）而言，１ＭＬ的那种显示了最强的促进作用．
胡海天来冰袁泽亮丁训民侯晓远
关键词：价带砷化镓
微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟被引量：2
1994年
根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
袁泽亮范垂祯
关键词：微波GAASFET场效应晶体管
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：5
1998年
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫化物有好的稳定性．称量法表明该方法有更低的腐蚀速率．ＳＥＭ结果表明该方法钝化处理的ＧａＡｓ表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小．
袁泽亮丁训民胡海天李哲深杨建树缪熙月陈溪滢曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：SEM表面钝化砷化镓
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化被引量：5
1998年
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术使Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述．
袁泽亮侯晓远王迅
关键词：表面钝化硫钝化半导体器件
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
1998年
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：砷化镓钝化
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅰ．直流烧毁被引量：2
1994年
用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究，探讨了直流烧毁机理及物理过程。
袁泽亮范垂祯
关键词：微波GAAS半导体器件场效应晶体管
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远
关键词：气相淀积砷化镓钝化膜
砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析被引量：2
1994年
采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式，给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出，烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例；其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁，热斑烧毁，源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。
杨得全袁泽亮叶青山范垂祯
关键词：砷化镓场效应晶体管
多孔硅在液体中的两种电致发光光谱被引量：5
1997年
ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。
廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远
关键词：多孔硅电致发光光谱白光
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁被引量：1
1994年
采用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
袁泽亮范垂祯
关键词：微波砷化镓功率场效应晶体管
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共2页<12>
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