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范鸿燕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇电压钳
  • 4篇静电防护
  • 4篇可控硅
  • 2篇双极型
  • 2篇脉冲
  • 2篇快速响应
  • 2篇二极管
  • 2篇反向二极管
  • 2篇触发
  • 1篇转让
  • 1篇股权
  • 1篇股权转让

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇范鸿燕
  • 4篇吴健
  • 4篇董树荣
  • 4篇苗萌

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
分期出资股权转让研究
分期出资是瑕疵出资中符合法律规定的一种出资方式,也是一种特殊的出资方式,分期出资的股权转让影响到公司的资本充实制度、股东的退出以及公司本身、公司股东及其公司债权人等利害关系人的利益.本文主要研究分期出资未圆满时,股权转让...
范鸿燕
关键词：股权转让
一种用于静电防护的可控硅
本发明公开了一种用于静电防护的可控硅，包括由上拉可控硅、下拉可控硅、隔离电阻、NMOS管和PMOS管，所述的上拉可控硅包括分别有第一P+注入区和第一N+注入区的第一N阱和分别有第二P+注入区和第二N+注入区的第一P阱，所...
董树荣苗萌吴健范鸿燕
一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅
本发明公开了一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底上设置的N阱电阻、P阱及P衬底电阻、反向二极管、第一双极型晶体管PNP和第二双极型晶体管NPN构成，所述的反向二极管由N+有源注入区和P阱构成，所述的第一双极...
董树荣吴健苗萌范鸿燕
一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅
本发明公开了一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底上设置的N阱电阻、P阱及P衬底电阻、反向二极管、第一双极型晶体管PNP和第二双极型晶体管NPN构成，所述的反向二极管由N+有源注入区和P阱构成，所述的第一双极...
董树荣吴健苗萌范鸿燕
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一种用于静电防护的可控硅
本发明公开了一种用于静电防护的可控硅，包括由上拉可控硅、下拉可控硅、隔离电阻、NMOS管和PMOS管，所述的上拉可控硅包括分别有第一P+注入区和第一N+注入区的第一N阱和分别有第二P+注入区和第二N+注入区的第一P阱，所...
董树荣苗萌吴健范鸿燕
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