闫文盛
- 作品数：49 被引量：77H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
- 任鹏刘忠良叶剑姜泳刘金锋孙玉徐彭寿孙治湖潘志云闫文盛韦世强
- 关键词：分子束外延XRDXANES
- Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究被引量：5
- 2008年
- 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
- 吴文清史同飞张国斌符义兵潘志云孙治湖闫文盛徐彭寿韦世强
- 苝四甲酸二酐在Au(111)表面的取向生长及电子结构研究被引量：1
- 2010年
- 利用X射线光电子能谱(XPS),同步辐射紫外光电子能谱(SRUPS),近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)以及原子力显微镜(AFM)等技术研究了苝四甲酸二酐(PTCDA)与Au(111)的界面电子结构、PTCDA分子取向及有机薄膜的表面形貌.SRUPS价带谱显示,伴随PTCDA分子的微量沉积(0·5ML),位于费米能级附近Au的表面电子态迅速消失,但却观察不到明显的界面杂化态,这说明PTCDA分子和Au(111)界面间存在弱电子传输过程,但并没有发生明显的化学反应.角分辨NEXAFS以及SRUPS结果证明PTCDA分子是平铺在衬底表面.根据Au4f7/2和C1s峰积分强度随薄膜厚度的变化以及AFM图像可知,PTCDA分子在Au(111)表面是一种典型的Stranski-Krastanov生长模式,即先层状生长,再岛状生长,并且在层状生长到岛状生长的转变过程中,存在有机分子的去润湿过程.
- 曹亮张文华陈铁锌韩玉岩徐法强朱俊发闫文盛许杨王峰
- 关键词：同步辐射光电子能谱分子取向
- 碲协助法制备二维过渡金属硫属化合物合金及异质结
- 2019年
- 二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量的低熔点碲粉,有效降低了WS2的生长温度,继而调节了WS2的成核和生长速率,利用一步化学气相沉积方法,可控地制备出WS2/MoS2垂直异质结和Mo1-xWxS2合金.拉曼光谱、光致发光谱、拉曼成像和光致发光成像技术表明,制备出的WS2/MoS2垂直异质结是由单层的WS2和MoS2上下叠加而成,而在Mo1-xWxS2合金中,W的含量(x)为0.83.此研究为人们提供了一个简单、有效的可控制备二维TMDC异质结和合金的化学气相沉积方法.
- 郭鹏段恒利闫文盛
- 关键词：化学气相沉积合金异质结
- XAFS在凝聚态物质研究中的应用被引量：8
- 2007年
- 详细介绍了X射线吸收精细结构谱学(XAFS)的理论、数据分析及实验等基本原理,以及XAFS在薄膜、纳米结构和体相材料(包括半导体、合金以及复杂氧化物)等凝聚态物质研究中的应用;同时,还介绍了原位XAFS、微区XAFS和时间分辨XAFS等新的实验方法,并对该方法的应用前景进行了展望.
- 韦世强孙治湖潘志云闫文盛钟文杰贺博谢治韦正
- 关键词：XAFS凝聚态物质
- 脉冲激光沉积法制备的Ni_(1-x)Fe_xO稀磁半导体的结构和磁性研究被引量：6
- 2008年
- 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-xFexO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni1-xFexO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni0.95Fe0.05O中出现了少量的α-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANES)和X射线光电子能谱(XPS)进一步表明了掺杂的Fe原子替代NiO晶格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.
- 翁卫祥闫文盛孙治湖姚涛郭玉献王峰韦世强张国斌徐彭寿
- 关键词：XANES
- 一种具有室温磁制冷性能的反钙钛矿材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种具有室温磁制冷性能的反钙钛矿材料及其制备方法和应用，该反钙钛矿材料的化学结构式为M<Sub>1‑x</Sub>NFe<Sub>3+x</Sub>，其中：M是掺杂金属，选自Ga、Ge、Sn或Zn中的一种；所...
- 刘超成段恒利闫文盛
- Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长被引量：5
- 2011年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层.
- 李利民唐军康朝阳潘国强闫文盛韦世强徐彭寿
- 关键词：SI(111)衬底
- 一种快速无损转移二维层状材料的方法
- 本发明公开了一种快速无损转移二维层状材料的方法，包括以下步骤：S1、将聚乙二醇溶解于水中得到聚乙二醇(PEG)水溶液；S2、将聚乙二醇水溶液旋涂至待转移样品表面，烘干得到粘附样品的PEG薄膜；所述待转移样品为二维层状材料...
- 闫文盛李智段恒利王超
- 文献传递
- Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究被引量：1
- 2007年
- 利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
- 史同飞朱三元吴文清张国斌闫文盛孙治湖刘文汉韦世强
- 关键词：XAFS溶胶-凝胶法
