陆静学
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生轻工技术与工程更多>>
- 硅基在片电感的研究
- 陆静学
- 关键词：射频
- MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文)
- 2006年
- 通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03 mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象.
- 陆静学黄风义王志功吴文刚
- 关键词：MOSFET表面势
- 0.18μm CMOS工艺高速双模分频器设计
- 基于0.18μm CMOS工艺设计了10/11双模分频器的电路,用源耦合场效应管逻辑实现静态D触发器单元设计,利用H-spice对设计电路进行仿真.电路完成了芯片版图,后仿真结果表明输入时钟在3.33GHz时,10分频和...
- 蒋东铭黄风义严菲陆静学
- 关键词：分频器CMOSD触发器
- 文献传递
- 微纳CMOS在片无源器件(电感元件)的模型和参数提取
- 黄风义陆静学姜楠
- 简要技术说明：在国际上首先提出了一种在片电感非对称物理模型和计算公式，并且提出了电感参数提取的特征函数算法；开发了一种新的电感等效电路结构。应用前景：相关的模型结构和参数提取算法的开发，加深了对射频集成电路器件模型中各种...
- 关键词：
- 关键词：无源器件
- 用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计
- 2007年
- 通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.
- 蒋东铭黄风义陆静学赵亮
- 关键词：低噪声放大器CMOS工艺电感模型
- 硅基在片电感射频模型的研究
- 无源器件尤其是电感是射频集成电路中至关重要的器件。先进的射频CMOS工艺已经能在片集成无源器件。在片无源器件能有效减小封装寄生参数，提高电路稳定性和性能，因此其应用已经成为一种趋势。但是在片无源器件仍然面临着严重的挑战，...
- 陆静学
- 关键词：CMOS工艺等效电路
- 文献传递
