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陈三元

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 6篇电极
  • 4篇纳米
  • 4篇催化
  • 3篇绝缘
  • 3篇绝缘层
  • 2篇印章
  • 2篇探测器
  • 2篇图形化
  • 2篇微电极
  • 2篇小尺寸
  • 2篇纳米刻蚀
  • 2篇纳米孔
  • 2篇纳米孔洞
  • 2篇硅基
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇CZT探测器
  • 2篇MSM结构
  • 2篇衬底
  • 1篇电信

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇裴为华
  • 8篇陈三元
  • 8篇陈弘达
  • 7篇归强
  • 3篇陈远方
  • 1篇李雷
  • 1篇赵辉
  • 1篇王宇
  • 1篇汤戎昱

年份

  • 3篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
制备MSM结构CZT探测器的方法
本发明提供了一种制备MSM结构CZT探测器的方法。该方法通过贴压的方法，将电极与CZT晶体进行组装，从而避免了CZT晶体的损伤，解决了小尺寸CZT晶体边缘附近电极图形化困难等工艺问题，简化了制备工艺。
裴为华归强陈三元陈远方陈弘达
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制备MSM结构CZT探测器的方法
本发明提供了一种制备MSM结构CZT探测器的方法。该方法通过贴压的方法，将电极与CZT晶体进行组装，从而避免了CZT晶体的损伤，解决了小尺寸CZT晶体边缘附近电极图形化困难等工艺问题，简化了制备工艺。
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制备硅基微电极的方法
本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺...
裴为华陈三元归强陈弘达
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用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法
一种用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列，包括：多个波导结构，该波导结构为圆柱形；一连接器，为矩形，该连接器的一面开有多个连接孔，所述波导结构插接在连接器的连接孔内；一PCB板，该PCB板为L型，该PCB板的长边固定在...
裴为华陈三元归强李雷陈弘达
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纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分...
裴为华陈三元归强陈弘达
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制备硅基微电极的方法
本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺...
裴为华陈三元归强陈弘达
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制作立体神经微电极的方法
一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上...
裴为华赵辉王宇陈三元汤戎昱陈远方陈弘达
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纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分...
裴为华陈三元归强陈弘达
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