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归强

作品数:25 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 13篇电极
  • 6篇探测器
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘层
  • 5篇光电
  • 5篇衬底
  • 4篇纳米
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇INGAAS...
  • 4篇催化
  • 3篇微电极阵列
  • 3篇硅基
  • 2篇信号
  • 2篇印章
  • 2篇有机晶体管
  • 2篇源极
  • 2篇植入式
  • 2篇柔性传感器
  • 2篇神经元

机构

  • 25篇中国科学院
  • 2篇兰州大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇天津职业技术...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇北京视友科技...

作者

  • 25篇归强
  • 22篇裴为华
  • 21篇陈弘达
  • 7篇陈三元
  • 6篇陈远方
  • 4篇郭凯
  • 4篇王宇
  • 3篇李雷
  • 3篇汤戎昱
  • 2篇王淑静
  • 2篇曾靖
  • 2篇朱琳
  • 2篇李晓倩
  • 2篇王树堂
  • 2篇王毅军
  • 1篇杨志鸿
  • 1篇周洲
  • 1篇马骁宇
  • 1篇刘剑
  • 1篇马晓宇

传媒

  • 3篇高技术通讯
  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光通信技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇1997
  • 1篇1993
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法
本发明提供一种用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列,包括:一基底,该基底为柔性材料,该基底包括:一柔性面层,一柔性背层,该柔性面层和柔性背层的周边固定,中间形成一腔室;多个微针镶嵌在基底中的柔性面层上,所述微针的中间...
裴为华王宇郭凯归强王淑静朱琳陈弘达
文献传递
制备MSM结构CZT探测器的方法
本发明提供了一种制备MSM结构CZT探测器的方法。该方法通过贴压的方法,将电极与CZT晶体进行组装,从而避免了CZT晶体的损伤,解决了小尺寸CZT晶体边缘附近电极图形化困难等工艺问题,简化了制备工艺。
裴为华归强陈三元陈远方陈弘达
文献传递
微电极阵列传感器
一种微电极阵列传感器,包括:一衬底,该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区;一源极,制作在第一反型区内,该源极有一引出导线;一输出极,制作在第二反型区内,该输出极有一引出导线;一栅氧层,该栅氧层制作在衬底的表面,...
汤戎昱裴为华归强李雷陈弘达
文献传递
InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测被引量:4
2008年
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。
肖雪芳杨国华归强王国宏马晓宇陈朝陈良惠
关键词:雪崩光电二极管
基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法
一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器,包括:一衬底支撑层;一左金属源电极,该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧;一右金属漏电极,该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧,与金属源电极相隔一预定距离;一绝...
裴为华陈远方归强陈弘达
文献传递
用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法
一种用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列,包括:多个波导结构,该波导结构为圆柱形;一连接器,为矩形,该连接器的一面开有多个连接孔,所述波导结构插接在连接器的连接孔内;一PCB板,该PCB板为L型,该PCB板的长边固定在...
裴为华陈三元归强李雷陈弘达
文献传递
一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
1997年
在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs/InP实用化光电探测器,它可在0.5~1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测,并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
周洲曾靖归强张玉芳马骁宇王树堂
关键词:光电探测器光纤通信CATV
制作基于微针阵列皮肤干电极的方法
一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法,该方法包括如下步骤:A、选择一硅片;B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层;C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽,形成二维方柱阵列;D、用硅的各向同性腐蚀液...
裴为华陈远方归强陈弘达
文献传递
基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法
一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器,包括:一衬底支撑层;一左金属源电极,该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧;一右金属漏电极,该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧,与金属源电极相隔一预定距离;一绝...
裴为华陈远方归强陈弘达
文献传递
纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分...
裴为华陈三元归强陈弘达
文献传递
共3页<123>
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