陈伟华
- 作品数：7 被引量：26H指数：3
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型被引量：2
- 2009年
- 在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。
- 张雪杜磊何亮陈伟华
- 关键词：晶体管辐照损伤
- SiO/_2介质材料辐射损伤噪声灵敏表征技术研究
- 随着航空航天技术的发展,越来越多的电子器件用于辐射环境,辐射会影响电子器件的性能和可靠性。现有的电子器件抗辐射能力评价方法存在一定的局限性,因此为了保证电子器件在辐射环境下的可靠性,迫切需要一种快速、灵敏、简便易行的方法...
- 陈伟华
- 文献传递
- SiO_2介质材料辐射损伤测试结构设计
- 2009年
- 为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。
- 陈伟华杜磊何亮
- MOS结构电离辐射效应模型研究被引量：16
- 2009年
- 基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系,在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和,模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下,两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系,认为低辐射剂量下两者存在线性关系,并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS器件辐射损伤提供了更准确的预测模型.
- 陈伟华杜磊庄奕琪包军林何亮张天福张雪
- 关键词：MOS结构氧化层陷阱
- 基于感兴趣区域和神经网络的盲图像质量评价
- 数字图像在获取、处理、压缩、存储、传输和重构的过程中常常出现不同类型和程度的降质。随着数字多媒体的发展,计算机需要一种量化图像降质的方法。这就是图像质量评价(Image Quality Assessment, IQA)方...
- 陈伟华
- 关键词：感兴趣区域神经网络盲图像
- 文献传递
- 基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型被引量：7
- 2008年
- 基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间的定量数学模型,并通过实验予以验证.研究结果表明,辐照诱生的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道迁移率的涨落,因此辐照前的1/f噪声幅值正比于辐照诱生的氧化层陷阱数.利用该模型对MOSFET辐照前1/f噪声与辐照退化的相关性从理论上进行了解释,同时也为MOSFET抗辐照能力预测提供理论依据.
- 彭绍泉杜磊庄奕琪包军林何亮陈伟华
- 关键词：辐照金属-氧化物-半导体场效应晶体管
- 多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
- 2009年
- 在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
- 张天福杜磊何亮陈伟华赵鸿飞
- 关键词：多晶硅
