陈国栋
- 作品数：9 被引量：44H指数：5
- 供职机构：西北工业大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.
- 杨敏王六定陈国栋安博王益军刘光清
- 关键词：碳掺杂硼氮纳米管第一性原理
- 掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究被引量：4
- 2008年
- 运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
- 陈国栋王六定张教强曹得财安博丁富才梁锦奎
- 关键词：密度泛函理论
- 碳纳米锥电子场发射的第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 运用第一性原理研究了不同锥角和结构的碳纳米锥(CNC)电子场发射性能.结果表明:随外电场(Eadd)增强,CNC电子结构变化显著,费米能级(Ef)处态密度(DOS)明显增大;赝能隙减小;体系电荷移向尖端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析表明:CNC的电子场发射性能除依赖于尖端结构外,很大程度上还取决于锥角大小,特别顶层6个原子的CNC3和CNC4场发射性能更优.
- 王六定陈国栋张教强杨敏王益军安博
- 关键词：第一性原理
- 氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究被引量：1
- 2009年
- 对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏曹得财刘光清
- 关键词：氮掺杂密度泛函理论
- 碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究
- 对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能。结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(...
- 陈国栋王六定安博杨敏
- 关键词：硼氮纳米管碳掺杂第一性原理电子结构
- 文献传递
- 低碳超高强度贝氏体钢的组织细化被引量：21
- 2007年
- 对系列低碳、超高强度贝氏体钢(LCUHSBS),通过有效地控制相变温度、冷却速率与回火参数,贝氏体铁素体(BF)含碳量增加、组织细化、碳化物消除以及存在高稳定性、高体积分数的膜状残余奥氏体(AR)。利用AFM、SEM等分析并测试了贝氏体钢的显微组织与晶粒尺寸,结果表明,板条束内含有若干大致平行的BF板条,而每一板条由许多切变单元组成;切变单元进一步又分成大量超细亚结构,其直径约为18nm。如此细化的显微组织确保了贝氏体钢在超高强度条件下,冲击吸收能成倍提高。
- 王六定朱明陈景东施易军陈国栋
- B/N/Si掺杂的(9,0)型碳纳米管电子结构第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低。由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强。
- 安博王六定陈国栋曹得财丁富才梁锦奎
- 关键词：碳纳米管掺杂第一性原理
- 碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究被引量：6
- 2009年
- 对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能.结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙愈小.体系态密度和局域态密度,HOMO和LUMO及其能隙分析一致表明,各种碳掺杂体系中CeqBNNT的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏
- 关键词：硼氮纳米管碳掺杂第一性原理
- 双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究被引量：2
- 2009年
- 采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能。结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动,电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局域化。根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射。
- 曹得财王六定陈国栋安博梁锦奎丁富才
- 关键词：碳纳米管双掺杂场发射
