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陈培良

作品数：29 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金浙江省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 23篇欧姆接触
  • 23篇欧姆接触电极
  • 23篇接触电极
  • 16篇溅射
  • 16篇磁控
  • 16篇磁控溅射
  • 15篇直流反应磁控...
  • 15篇硅器件
  • 15篇反应磁控溅射
  • 13篇发光
  • 11篇电致发光
  • 10篇硅基
  • 8篇蒸发法
  • 7篇发光器件
  • 6篇电致发光器件
  • 6篇硅片
  • 6篇硅片清洗
  • 5篇氧化锌
  • 5篇随机激光
  • 5篇化学气相

机构

  • 29篇浙江大学

作者

  • 29篇陈培良
  • 28篇杨德仁
  • 28篇马向阳
  • 14篇阙端麟
  • 9篇章圆圆
  • 5篇李东升
  • 2篇潘景伟
  • 2篇张瑞捷
  • 1篇田野

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 7篇2010
  • 8篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构
本发明公开了一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构，在p型硅衬底的正面自下而上依次生长有第一SiO<Sub>2</Sub>薄膜、ZnO薄膜、第二SiO<Sub>2</Sub>薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉...
陈培良马向阳杨德仁
一种硅基二氧化钛电致发光器件及其制备方法
本发明公开的硅基二氧化钛电致发光器件，在硅衬底的正面自下而上依次沉积有TiO<Sub>2</Sub>薄膜和透明ITO电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的...
杨德仁马向阳章圆圆陈培良阙端麟
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一种氧化锌负阻器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌负阻器件及其制备方法。该器件是在石英片上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、ZnO薄膜层、SiO<Sub>2</Sub>薄膜层和表面电极层而构成。其制备步骤如下：先用电子束蒸发在清洗过的石英衬底上沉积欧...
马向阳杨德仁陈培良阙端麟
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一种硅基表面电子发射器件及其制备方法
本发明公开了一种硅基表面电子发射器件及其制备方法。该器件在n型硅衬底的正面沉积有SiO<Sub>2</Sub>或Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜层，在SiO<Sub>2</Sub>或Al<Sub...
陈培良马向阳李东升杨德仁
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制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法
本发明公开了制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法，步骤如下：1)将电阻率为0.005-0.02欧姆.厘米的P型重掺杂硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至1～5×10<Sup>-3</S...
马向阳杨德仁陈培良阙端麟
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一种氧化锌负阻器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌负阻器件及其制备方法。该器件是在石英片上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、ZnO薄膜层、SiO<Sub>2</Sub>薄膜层和表面电极层而构成。其制备步骤如下：先用电子束蒸发在清洗过的石英衬底上沉积欧...
马向阳杨德仁陈培良阙端麟
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一种镉锌氧合金薄膜及其制备方法
本发明公开了一种镉锌氧合金薄膜，利用磁控溅射法于特定的温度区间内在衬底上制备不同组分的镉锌氧薄膜，得到的不同组分的镉锌氧薄膜的发光波长在整个可见光范围内可调，为c轴取向性生长的单一六方相薄膜。本发明还公开了这种镉锌氧合金...
陈培良张瑞捷马向阳杨德仁
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一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构
本发明公开了一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构，在p型硅衬底的正面自下而上依次生长有第一SiO<Sub>2</Sub>薄膜、ZnO薄膜、第二SiO<Sub>2</Sub>薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉...
陈培良马向阳杨德仁
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一种硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件及其制备方法
本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件，在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积SiO<Sub>2</Sub>薄膜、ZnO薄膜、Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</Sub>O(0＜x≤0.3)薄膜和半透明电...
陈培良马向阳李东升杨德仁
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一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器
本发明公开了一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，在硅衬底的正面自下而上依次生长ZnO薄膜、ZnO纳米棒阵列、SiO<Sub>2</Sub>薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明还公开了该电抽运随机激...
马向阳潘景伟陈培良杨德仁
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