陈杰
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 超薄氧化层制备及其可靠性研究
- 2011年
- 文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm～5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3.H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N2退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD。通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV.cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%。
- 刘国柱陈杰林丽许帅王新胜吴晓鸫
- 关键词：超薄氧化层TDDBQBD
- ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：6
- 2013年
- 硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。
- 陈杰李俊赵金茹李幸和许生根
- 关键词：深槽介电特性原子层沉积
- 一种MEMS热驱动可变电容的分析模拟
- 2013年
- 文中设计并分析了一个MEMS热驱动可变电容,它的下极板固定于衬底,上极板通过热致动器驱动。热致动器由冷臂和热臂组成,一端通过锚点固定于衬底,一端连接在电容器上极板。热驱动器通过电压驱动使MEMS电容器上极板上下运动。文中作者使用有限元方法模拟了150～300μm加热臂长在0～4 V电压条件下的电容变化值和温度变化,有限元模拟结果表明其电容变化率最大可达10倍。
- 陈立军沈娇艳雷鸣陈杰唐剑平
- 关键词：有限元分析可变电容
