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陈航洋

作品数：22 被引量：16H指数：3
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇晶格
  • 5篇发光
  • 5篇波长
  • 5篇超晶格
  • 4篇氮化物
  • 4篇探测器
  • 4篇量子
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 4篇ALGAN
  • 4篇MSM光电探...
  • 3篇氮化物半导体
  • 3篇氮化物半导体...
  • 3篇导体
  • 3篇肖特基
  • 3篇量子效率

机构

  • 22篇厦门大学
  • 2篇厦门理工学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 22篇陈航洋
  • 20篇康俊勇
  • 16篇李书平
  • 14篇李金钗
  • 10篇刘达艺
  • 9篇杨伟煌
  • 8篇林伟
  • 8篇黄凯
  • 7篇高娜
  • 4篇蔡端俊
  • 3篇杨旭
  • 2篇张彬彬
  • 2篇陈雪
  • 2篇王元樟
  • 1篇张小英
  • 1篇杨闻操
  • 1篇庄芹芹
  • 1篇陈珊珊
  • 1篇金鹏
  • 1篇郑同场

传媒

  • 1篇物理学进展
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇厦门理工学院...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2016
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、...
高娜冯向卢诗强黄凯陈航洋李书平康俊勇
文献传递
一种二维超薄LED及其制备方法
本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件...
蔡端俊刘国振郝卓然陈航洋孙飞鹏
文献传递
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级...
康俊勇高娜黄凯陈雪林伟李书平陈航洋杨旭李金钗
文献传递
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨被引量：4
2016年
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。
李金钗季桂林杨伟煌金鹏陈航洋林伟李书平康俊勇
关键词：ALGAN多量子阱结构发光机制
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
文献传递
基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法
基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层...
康俊勇林伟李书平陈航洋刘达艺陈珊珊杨伟煌
文献传递
MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征
2011年
采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.
王元樟林伟李书平陈航洋康俊勇张小英
关键词：GAN基半导体原子力显微镜
选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
文献传递
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
2013年
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。
陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
关键词：ALGANALNMOVPE
高量子效率和波长热稳定性308nm GaN/AlN量子点紫外LED的制备
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加...
杨伟煌康俊勇李金钗黄柏凯卢廷昌郭浩中李书平杨旭陈航洋刘达艺
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共3页<123>
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