您的位置: 专家智库 > >

马懿

作品数:9 被引量:56H指数:3
供职机构:南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇导体
  • 3篇温下
  • 3篇纳米晶
  • 3篇晶体
  • 3篇半导体
  • 3篇SI衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米晶粒
  • 2篇纳米晶体
  • 2篇胶体
  • 2篇胶体化学
  • 2篇光学
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇半导体量子点
  • 1篇导电
  • 1篇导电玻璃

机构

  • 9篇南京大学
  • 2篇东南大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 9篇马懿
  • 8篇徐岭
  • 8篇陈坤基
  • 6篇张宇
  • 5篇徐骏
  • 5篇黄信凡
  • 3篇李卫
  • 3篇马忠元
  • 3篇孙萍
  • 3篇赵伟明
  • 2篇王刚
  • 2篇李明海
  • 2篇顾宁
  • 1篇吴良才
  • 1篇甘新慧
  • 1篇戴明
  • 1篇付德刚
  • 1篇韩国志
  • 1篇马明
  • 1篇马飞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第三届全国物...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 4篇2002
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法
利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法:由胶体化学方法制备II-VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水...
徐岭张宇黄信凡陈坤基徐骏李伟李明海马懿
文献传递
室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量:1
2008年
应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
关键词:半导体纳米晶体自组装刻蚀
表面化学修饰对CdS纳米粒子三阶光学非线性的影响被引量:3
2002年
用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上的 AOT-SO- 3被 Py取代后 ,其三阶非线性极化率增加 ,这归于表面修饰 Py的Cd S纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子 -空穴分离态 ,从而提高了对激子吸收的漂白效率 ,增加了三阶光学非线性。
张宇王刚韩国志汪昕马明付德刚刘举正顾宁陆祖宏马懿徐岭陈坤基
关键词:表面化学修饰简并四波混频三阶光学非线性
室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶体在Si衬底上的化学自组装
本文应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族-CdSe,CdTe纳米晶粒,紫外-可见光吸收谱(ABS)和光荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒良好的单分散性;在室温下利用双功能分子在Si衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原...
徐岭黄信凡陈坤基赵伟明郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏
关键词:胶体化学纳米晶体
文献传递
Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点和复合结构的制备、化学组装及其光电性质研究
半导体量子点,具有明显的量子尺寸效应和表面效应,最近几年已经成为人们研究的热点.有胶体化学方法制备的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点,由于其样品制备简单,单分散性好,尺寸效应明显,具有很好的发光特性和光学非线性,使胶体量子点在发光器...
马懿
关键词:半导体量子点复合结构化学组装光电性质
文献传递
氧化锌薄膜的电化学沉积法制备及受激发射研究被引量:19
2004年
采用一种简单的电化学沉积法 ,在三电极化学池中 ,以单一的硝酸锌水溶液作为电沉积液 ,制备了高光学质量的半导体ZnO薄膜。透射光谱测量表明其光学带隙为 3 35eV ,4 0 0~ 2 0 0 0nm波段的光学透过率大于 80 %。X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM)研究表明 ,ZnO薄膜为纤锌矿结构的无序多晶颗粒膜 ,微晶尺寸小于 2 5 0nm。当用 35 5nm的皮秒脉冲激光作为抽运源垂直入射薄膜表面时 ,可以检测到 4 0 0nm附近的近紫外受激发射光 ,其强度随入射强度呈超线性增长关系 ,阈值在 196 8kW /cm2 处 ,并且激光发射是多模的和各个方向的 ,还与被激发的面积有关 。
张宇王刚崔一平翁健马懿徐岭徐骏陈坤基张海黔顾宁
关键词:薄膜物理学氧化锌薄膜电化学沉积受激发射随机激光
室温下高密度Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装
应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族半导体-CdSe,CdTe 纳米晶粒。CdSe 纳米晶粒是利用 CdCl2和 NaSeSO在反相胶束溶液中反应制备;CdTe 纳米晶粒是在水溶液中通过 AlTe和 Cd(ClO)...
赵伟明徐岭郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏黄信凡陈坤基
文献传递
CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构被引量:7
2002年
以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 .紫外 可见光吸收谱研究表明 ,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从 0 .9nm至 0 ,可以调节QDQW颗粒的带隙从 1.8变化至 2 .1eV ,实现QDQW纳米晶体的剪裁 .光致荧光 (PL)谱研究显示 ,QDQW形成后 ,CdSe HgSe纳米颗粒表面态得到钝化 ,显现出发光强度加强的带边荧光峰 .利用有效质量近似模型 ,对QDQW晶粒内部电子的 1s— 1s态进行了估算 。
徐岭马懿李明海黄信凡陈坤基
关键词:光学性质电子结构晶粒半导体硒化镉
二氧化硅人工蛋白石晶体(opal)的制备及其结构性质的研究被引量:25
2003年
运用胶体化学法合成了尺寸可控的二氧化硅 (SiO2 )亚微米溶胶小球 .透射电子显微镜 (TEM)结果显示样品平均尺寸可从 2 0 0nm变化至 60 0nm ,单分散性较高、平均标准偏差小于 5 % .通过自然沉积法 ,由溶胶SiO2 小球自组织晶化制备了人工蛋白石晶体 (opal晶体 )结构 .样品的剖面扫描电子显微镜 (SEM)检测表明 ,样品为面心立方 (fcc)结构 .分析表明 ,较高的单分散性和缓慢的沉积过程是SiO2 溶胶小球自组织晶化成三维有序结构的关键因素 .反射谱中峰位在 13 2 0nm处的反射峰的出现 ,意味着样品在宏观尺度上的有序排列 ,同时也证明样品在 ( 111)
李明海马懿徐岭张宇马飞黄信凡陈坤基
关键词:胶体化学法光子晶体微加工
共1页<1>
聚类工具0