徐岭
- 作品数：102 被引量：99H指数：5
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅基光子分子的设置与制备方法
- 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
- 钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
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- 脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究
- 在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3～1.62eV范围内变化，并且随...
- 喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 关键词：化合物半导体肖特基接触光电性能
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- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
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- 快速热退火对a_Si:H/SiO_2多层膜光致发光的影响被引量：2
- 2005年
- 采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 .研究发现对a_Si:H/SiO2 多层膜作快速热退火处理 ,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰 .研究了不同退火条件下发光峰的变化 .通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析 ,探讨了a_Si:H/SiO2 多层膜在不同退火温度下的光致发光机理 .
- 马忠元韩培高黄信凡隋妍萍陈三钱波李伟徐岭徐骏陈坤基
- 关键词：光致发光快速热退火
- 一种高一致性免串扰HfAlO<Sub>y</Sub>/TiO<Sub>x</Sub>多层膜神经元阵列及其制备方法
- 本发明涉及高一致性免串扰HfAlO<Sub>y</Sub>/TiO<Sub>x</Sub>多层膜神经元阵列，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：神经元阵列由HfAlO<Sub>x</Sub>/TiO<Sub>...
- 马忠元胡宏升陈通杨洋李伟陈坤基徐骏徐岭
- 制备垂直结构相变存储器的方法
- 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
- 徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
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- 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法
- 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法:由胶体化学方法制备II－VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水...
- 徐岭张宇黄信凡陈坤基徐骏李伟李明海马懿
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- 无机纳米粒子的二阶光学非线性研究进展被引量：3
- 2002年
- 非相干的超瑞利散射(HRS)技术是20世纪90年代发展起来的用于测定分子发色团一阶超极化率β的有效工具。由于它与惯用的相干二次谐波发生(SHG)和电场诱导二次谐波发生(EFISHG)技术相比较,不受样品的尺寸、取向和/或电荷的限制,因此近四五年来被使用来测定无机纳米粒子的一阶超极化率,并取得了一些重要的结果。文章介绍了HRS技术的一般原理、实验装置及数据处理方法。根据目前报导的实验结果,并结合我们的工作,探讨了纳米粒子超瑞利散射的几种可能机制:表面贡献、类体相贡献、聚集体贡献、共振增强的贡献以及粒子表面静电场和溶剂场的贡献,其中特别强调了表面贡献。指出用HRS技术研究纳米粒子二阶光学非线性这一新的领域正逐步吸引越来越多的科学家的兴趣,将成为非线性光学和纳米科学交叉领域的一个热点。
- 张宇汪昕马明付德刚刘举正顾宁陆祖宏徐岭陈坤基
- 关键词：无机纳米粒子超瑞利散射
- 3D架构垂直沟道纳米硅环栅存储器的制备方法
- 本发明涉及一种3D环栅量子点存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅作为存储器件沟道，所述非晶硅纳米柱的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，以及环绕在非晶硅柱侧壁的纳米硅浮栅层，所述...
- 马忠元陈坤基徐骏徐岭李伟
- 高性能半导体纳米硅场电子发射材料及其制备方法
- 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4－50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅...
- 徐骏陈坤基黄信凡徐岭李伟马忠元
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