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马忠元

作品数:96 被引量:84H指数:6
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 46篇专利
  • 36篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 26篇理学
  • 17篇电子电信
  • 14篇一般工业技术
  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 30篇纳米
  • 27篇纳米硅
  • 24篇发光
  • 21篇多层膜
  • 16篇光电
  • 16篇光电子
  • 15篇存储器
  • 14篇衬底
  • 13篇电子器件
  • 13篇纳米光电子器...
  • 13篇光电子器件
  • 13篇硅薄膜
  • 12篇纳米电子
  • 12篇半导体
  • 11篇激光
  • 10篇光学
  • 10篇硅基
  • 10篇SIO
  • 9篇淀积
  • 8篇量子

机构

  • 94篇南京大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇云南大学
  • 2篇韩山师范学院
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇东京工业大学
  • 1篇南通大学
  • 1篇江苏省光电信...

作者

  • 96篇马忠元
  • 85篇陈坤基
  • 73篇徐骏
  • 64篇李伟
  • 63篇黄信凡
  • 57篇徐岭
  • 13篇韩培高
  • 12篇李卫
  • 11篇冯端
  • 10篇孙萍
  • 10篇赵伟明
  • 9篇戴明
  • 9篇韦德远
  • 8篇王旦清
  • 7篇吴良才
  • 7篇陈德媛
  • 7篇廖远宝
  • 7篇钱波
  • 6篇甘新慧
  • 6篇孙红程

传媒

  • 17篇物理学报
  • 4篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇南京大学学报...
  • 2篇发光学报
  • 2篇第二届全国纳...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇江西科学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇南通大学学报...
  • 1篇第三届全国物...
  • 1篇第十二届华东...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 9篇2010
  • 11篇2009
  • 19篇2008
  • 10篇2007
  • 5篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇1999
96 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高一致性免串扰HfAlO<Sub>y</Sub>/TiO<Sub>x</Sub>多层膜神经元阵列及其制备方法
本发明涉及高一致性免串扰HfAlO<Sub>y</Sub>/TiO<Sub>x</Sub>多层膜神经元阵列,属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于:神经元阵列由HfAlO<Sub>x</Sub>/TiO<Sub>...
马忠元胡宏升陈通杨洋李伟陈坤基徐骏徐岭
制备垂直结构相变存储器的方法
本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
文献传递
3D架构垂直沟道纳米硅环栅存储器的制备方法
本发明涉及一种3D环栅量子点存储器,属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于:其特征在于:以非晶硅作为存储器件沟道,所述非晶硅纳米柱的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极,以及环绕在非晶硅柱侧壁的纳米硅浮栅层,所述...
马忠元陈坤基徐骏徐岭李伟
高性能半导体纳米硅场电子发射材料及其制备方法
本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料,同时还涉及其制备方法,属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜,氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4-50纳米,氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒,硅...
徐骏陈坤基黄信凡徐岭李伟马忠元
文献传递
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量:1
2008年
应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
关键词:半导体纳米晶体自组装刻蚀
提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法,其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜:利用等离子体增强化学汽相淀积方法,在室温下,采用硅烷(SiH<Sub>4</Sub>)和氨气(NH<Sub>3...
黄锐陈坤基董恒平王旦清李伟徐骏马忠元徐岭黄信凡
文献传递
激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
2008年
利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.
姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理
关键词:纳米硅
气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法
气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法,首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H<Sub>2</Sub>)等离子体的预处理,在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心;...
余林蔚陈坤基李伟徐骏黄信凡宋捷李雪飞马忠元徐岭
文献传递
Si/SiO<,2>多层膜体系光致发光中的物理问题研究
该文选择目前国内外研究得最多的纳米硅/硅氧化物系统中光发射的物理问题作为研究对象.结合该小组以前对a-Si:H/SiN<,X>多层膜限制性晶化的研究工作,在等离了增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemic...
马忠元
关键词:纳米硅光发射多层膜发光机理
文献传递
共10页<12345678910>
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